工艺参数对射频磁控溅射法制备的azo薄膜性能的影响贺凡.pdf

Vol. 5 No.8/ Aug. 2011 掺铝氧化锌(AZO)材料以其原料廉价易得、不含毒性、在氢等离子体中稳定等优点得到了广泛的研究和应用，并 且有取代ITO薄膜成为新一代透明导电薄膜材料的趋势。AZO透明导电薄膜最主要的应用之一是作为CIGS薄膜太阳能电池 的窗口层前电极。本文探讨了射频磁控溅射法制备AZO薄膜过程中，溅射气压、溅射功率以及衬底加热温度等工艺参数对 薄膜的电学性能和薄膜取向的影响规律。 AZO薄膜；射频磁控溅射；工艺参数 ABSTRACT Al-doped ZnO (AZO) films was widely studied and uesd because of its advantages such as comes cheap, no toxic and stability in H plasma, and carries the tendency to replace the ITO fi lms to be the new generation of transparent conductive thin fi lms materials. The most signifi cant application of AZO thin fi lms is to be the front contact window layer of CIGS thin fi lms solar cell. The relationships between the electrical performance and fi lm orientation of the AZO fi lms and the preparation process conditions under rf-magnetron sputtering, such as the sputtering pressure, the sputtering power, and the substrate temperature, will be studied in this paper. KEYWORDS AZO Thin Films; rf Magnetron Sputtering; Technological Parameter 璃衬底尺寸为100mm×100mm×2mm，本底真空 AZO透明导电薄膜由于其极低的电阻率以及在 为10-5 Pa，靶基距为75mm，Ar流量为15sccm，设 可见光区高的透过率等优异光电性能在许多领域得到 置小车运动次数为30次。试验中通过控制闸板阀的位 了广泛的应用，如平面液晶显示器、节能玻璃、太阳 置来调节溅射腔室内的气压，考察溅射气压值分别为 能电池等。由于目前商业用途最为广泛的ITO薄膜材 0.15Pa、0.1P、0.05Pa、0.02Pa，考察溅射功率值 料的价格较贵，并且具有毒性等，廉价易得、不含毒 分别为300W、450W、600W、750W，考察衬底加 性的AZO薄膜材料便显示出了极大的优势[1] ，并有取 热温度分别为0℃、130℃、160℃、190℃、220℃。 代ITO材料成为新一代透明导电薄膜材料的趋势。 所制备的AZO薄膜厚度使用AMBIOS XP-1 经过近三十年的研究，人们已经发展了多种 台 阶 仪 来 测 量 ， X R D 衍 射 图 谱 使 用 R i g a k u D / AZO薄膜的制备方法 [2] ，最常见的主要有分子束外 MAX2200PC型衍射仪测得，采用日本Nano的 延法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法、热蒸发法、 HL5500霍尔系数测量仪来测量AZO薄膜的方块电 溶胶-凝胶法、化学气相沉积法以及磁控溅射法等。 阻、电阻率、霍尔迁移率等电学性能。 目前，应用较为广泛并且技术较为成熟的是磁控溅