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硅晶体及硅纳米线导热系数的分子动力学模拟 摘要 姓名汪国栋 指导老师陈云飞教授 微米、纳米量级微结构材料如纳米线、超晶格是集成芯片、量子阱激光器、微机电系统的重 要组件。微结构导热特性影响着器件和系统的运行性能与可靠性，因此分析微结构材料的热传导 性能对于器件的设计和稳定运行具有重要意义。 本文阐述了材料微型化的进程。介绍了热电制冷原理，对微尺度传热的研究现状进行了分类 和概括。讨论了分子动力学模拟方法的基本原理和详细步骤，对各种分子动力学方法的分类和运 用场合进行了说明． 温度区间内的导热系数，给出了硅在Debye温度以下经典分子动力学模拟所需要的量子化修正曲 线，并考虑了热膨胀、同位素杂质、空穴对其导热系数的影响。模拟中使用不同温度下的品格常 数计算了热膨胀对热传导系数的影响，仿真结果表明考虑热膨胀后硅晶体的导热系数同温度的 1．1693次方成反比，且均低于未考虑热膨胀时的结果；含有同位素杂质(”＆)的硅晶体的导热系 数要低于纯净晶体的导热系数，且随着掺杂浓度的增大，导热系数也随之下降，但在温度较高时， 杂质对热传导系数的影响很小；模拟结果还显示当硅晶体中含有空穴时，其热传导系数要远远低 于纯净硅的导热系数，且其对热传导性能的影响大于同位索杂质对热传导性能的影响。 采用非平衡态分子动力学方法模拟了硅纳米线的热传导性能，并对其主要影响因素作了分析。 模拟结果表明，在相同的温度区间(800．1500k)内截面形状为正方形的纳米线的导热系数要比体态 硅小两个量级，且随着温度的上升，导热系数随之下降；当模拟温度固定时，导热系数随着纳米 线长度的增加而增加，并趋于一个收敛值：同时当纳米线的截面面积增加时，导热系数也随之增 加。当纳米线表面存在缺陷时，其热传导系数小于无缺陷纳米线的值。 对超晶格薄膜导热系数的非平衡态分子动力学模拟结果表明：导热系数和材料原子之间的质 量比m2／％、势阱常数比毛／岛有关；薄膜厚度对导熟系数的影响很小；当晶格失配时，导热系 数随着周期长度增加而增加。 最后，介绍了3co方法的原理和实验过程，对体态硅的导热系数进行了测量，并给出了一些 实验结果。 关键词： 体态硅；硅纳米线；超晶格；微尺寸；分子动力学；导热系数{3co方法 simulationofthermal of Molecular奶mamics conductivity silicon andsiliconnanowires crystal Abstract Guo ChenYunfei Dong by Wang Supervised Thinfilmswith inndcroscaleand m subassembliesinthe thickness nanoscale in印。血nt at嘲 such雒 uansinstors． lasersand application integrated-circuit quantum-well microelectromechanicalthe and ofthedevices systems．Since p幽nnancereliability a∞strongly On inthin thin thermal theheatconduction film isof