电子线路非线性部分(第四版)谢嘉奎第3章正弦波振荡器教程.ppt

例如： 　　　　电压控制型负阻振荡器如图 3-6-5 所示。 图 3-6-5　电压控制型负阻振荡器 R = R1 // R2 　　R1、R2 取值过大，如虚线所示，有三个交点，会引起静态工作点不稳定。 3.6.3　用负阻观点讨论 LC 反馈振荡器 　　从能量的观点看，带有正反馈的放大器件可以等效地看成负阻器件。参见图 3-6-6(a)。 　　受控电流源支路的等效导纳 　　参见图 3-6-6(b)。 　　用负阻的观点和用反馈的观点研究振荡器的特性是等效的。 第 3 章　正弦波振荡器 3.7　寄生振荡、间歇振荡和频率占据 3.7.1　寄生振荡 3.7.2　间歇振荡 3.7.3　频率占据 　　寄生振荡、间歇振荡和频率占据是不希望出现的电路现象。一旦产生将破坏电路的正常工作。下边讨论它产生的原因和预防措施。 3.7.1　寄生振荡 　　一、产生原因 　　电路中一些集中参数及分布参数形成寄生振荡回路，产生自激振荡。 　　二、抑制措施 　　破坏寄生振荡回路的振荡条件。 　　① 低频寄生振荡回路一般由高频扼流圈、隔直电容或旁路电容构成。要消除这种低频振荡的常用措施是： 合理选择扼流圈的电感量或旁路电容的电容量，高频扼流圈串接小电阻或并接大电阻。 　　② 超高频寄生振荡是由电路中的分布参数(引线电感，极间电容)构成。要消除这类振荡的常用措施是： 粗短的引线，贴片元件，基极，集电极串小无感电阻，隔直、旁路电容上并小电容。 ③ 电源加去耦电路。 3.7.2　间歇振荡 　　振荡 → 停振 → 振荡 ??? ，这样现象称为间歇振荡。 　　一、产生原因 　　当输入端作用着振荡电压vi 时,晶体管经历了导通和截止两个过程，导通时，发射极电流向CE 充电；截止时，CE 向RE 放电，充电电阻远小于RE。 如果 CB,CE 取值过大，电容充电快，放电慢。振荡器起振后，振幅增大，偏置电压向负值方向增大，使振幅减小，直到停振。停振后，偏置电压向正值方向增大，达到一定数值后，振荡器右开始起振。振荡波形如图。 　　二、预防措施 　　CB,CE 取值不宜过大，可增大 Q 值。 3.7.3　频率占据 　　频率占据是当外部有一频率为 fs 的信号加入到振荡回路时，满足一定条件，会使振荡频率 fosc 向 fs 靠近或等于 fs，称为频率占据。 fosc = fo 当 fs 接近 fosc 时，振荡器的振荡频率受到 fs 的牵引。 　　① fs - f0 ?f1 和 fs - f0 ?f4，vs 对 fosc无影响。 　　② ?f1 fs - f0 ?f2 和 ?f3 fs - f0 ?f4 ，,fosc向 fs 靠近。 　　③ ?f2 fs - f0 ?f3，fosc = fs 。 　　由电路图 3-7-4(b)可知： 　　加入 vs 后， 设 fs f0 。 　　将以(?s - ?0)的相对角速度逆时针旋转 → vi 跟着旋转 → gmvi → vo → vf. 　　只要的转速不太大(?s 靠近 ?0)，经过一段时间，一样的角速度(?s - ?0)逆时针转动。各矢量相对位置固定下来，振荡器重新进入平衡状态，振荡频率为 fs。 　　根据矢量图 　　假设　Vs Vf， 　　当 Qe、Vs、Vf 一定时，sin|?| 的最大值对应| fs - f0 |的最大值。 　　所以占据频带为 　　预防措施： 　　根据具体情况，切断或削弱振荡器与外来信号的耦合。 　　但在某些情况下，外加信号是特意加入的，实现注入同步。 3.3.2　克拉泼振荡电路 1．电路 图 3-3-2 (b) 2．特点 　　为电容三点式振荡器的改进型电路，其差别：与 C1、C2 串联的电容 C3。且C3 取值较小。满足 C3 C1，C3 C2，回路总电容取决于 C3。 3．原理 　　回路总电容取决于 C3，减小了极间电容 Cce、Cbe、Ccb(并联在 C1、C2 上)对频率的影响。 C3 越小，影响越小，回路标准性越高。 　　比电容三点式高一个数量级。 4．讨论 　　接入 C3 后，虽反馈系数不变(上节例 2)，但接在 A、B 两端的电阻 　　　　　　　折算到集电极间的数值 减小， C1，2 是 C1、C2 极间电容的总和，因而环路增益减小。C3 越小，环路增益越小。可见，在这种振荡电路中，减小 C3 提高标准性是以牺牲环路增益为代价的。C3 过小，就不会满足振幅起振条件，而停振。 下节，讨论晶体振荡器。 第 3 章　正弦波振荡器 3.4.1　石英谐振器的电特性 3.4.2　晶体振荡电路 3.4　晶体振荡器 3.4　晶体振荡器 频稳度 晶体振荡器：超过 10 -5 LC 振荡器：10 -3