硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较.pdfVIP

硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较 参数 酸腐蚀工艺 碱腐蚀工艺 腐蚀特性 各向同性 各向异性 腐蚀反应的热量 放热 吸热 需要依靠晶片的旋转、特制的 夹具、通气体充分搅拌腐蚀液 不需要特殊机构便可达到一 表面平坦度（STIR\TIR\TTV ） 等特殊机构及工艺手段来改 定的表面平坦度 善其表面平坦度 比碱腐蚀工艺小，与晶片原有 比酸腐蚀工艺大，与晶片原有 腐蚀后表面粗糙度（Ra） 的损伤程度有关 的损伤程度有关 原先就已存在于晶片表面上 原先就已存在于晶片表面上 硅片表面残留的微粒 的微粒就难去掉，较低的表面 的微粒容易去掉，较差的表面 粗糙度不容易吸附微粒 粗糙度容易吸附微粒 腐蚀液的纯度比较差，腐蚀温 腐蚀液的纯度比较高，腐蚀温 度高，金属扩散程度大， 金属污染程度(Cu\Ni) 度较低，金属扩散程度小 （111）晶向比（100）晶向 严重 晶片从腐蚀液转移到水中时 晶片从腐蚀液转移到水中的 间必须小于0.6s，才能有效 时间必须小于2s，才能有效 表面腐蚀斑点残留印痕 防止斑痕的产生，较低电阻率 防止斑痕的产生，与晶片的电 的晶片比较容易产生斑痕 阻率无关 腐蚀液槽的使用寿命 比较短 比较长 所用化学试剂比碱腐蚀用化 加工成本 所用化学试剂费用较便宜 学试剂费用约贵2 倍左右 环境保护处理 环保处理相对比较复杂 环保处理相对比较容易