硅的各向异性腐蚀.pdfVIP

维普资讯 第4期 新型惯性器件 ·l9 · 耦合效率有关。 方法来获得作为结构单元的应力受控薄膜，这是整 (撰写人：高峰 审核人：闾晓琴) 个工艺过程的精华所在；第二项是使用牺牲层技术 来释放结构以允许其运动。为获得复杂的三维微结 光源相对强度噪声(guangyuanxiangduiqiangdu 构，可以连续添加牺牲层和结构层，并分别采用恰当 zaosheng)(LightSourceRelativeIntensityNoise) 的光刻和刻蚀技术。硅表面工艺具有对微结构尺寸 光源相对强度噪声指光源输出能量的振荡，是 的控制较好，并且与Ic工艺兼容等优点。其缺点是 宽带光源各种Fourier分量之间的拍频引起的附加 纵向尺寸小。 噪声，它用来描述光源的最大可用振幅范围，定义为 参考文献 均方光强度噪声 (均方光强度在 lHz带宽内的波 [1] [美]StephenA．Complhell著．微电子制造科学原理与 动，单位为dB／X／Hz)与平均光功率的平方之间的 工程技术 ．曾莹，严利人，王纪民等译 ．第二版 ．北 比值。光源相对强度噪声在注人电流为阈值时最 京：电子工业出版社，2003．555～562。 (撰写人：邱飞燕 审核人：徐宇新) 大，随着温度的升高而增大。与谱宽成反比的光源 附加噪声是光源相对强度噪声的主要噪声源，在光 硅的各向异性腐蚀 (guidegexiangyixingfushi) 纤陀螺中采用宽带光源可以降低光源的相对强度噪 (TheSiliconAnisotropicEtching) 声。在使用宽带掺铒光纤光源的光纤陀螺中，光源 硅的各向异性腐蚀，是指对硅的不同晶面具有 相对强度噪声决定了光纤陀螺的最小检测灵敏度。 不同腐蚀速率的一种硅加工工艺。这种腐蚀速率的 (撰写人：王学锋 审核人：丁东发) 各向异性是由硅的晶体学特性决定的。其腐蚀示意 光子噪声(guangzizaosheng)(PhotonNoise) 图如下： 光子噪声是光电探测器的噪声之一。探测器工 作时，即使输人光功率是恒定的，由于光功率是光子 数的统计平均值，每一瞬时到达探测器的光子数是 随机的，因此光生载流子的数 目也是随机起伏的，这 种随机起伏产生了噪声。因为这种噪声是光子数量 起伏造成的，故称为光子噪声。注人探测器的光功 各向异性腐蚀示意图 率愈大，光子噪声就愈大。光子噪声电流与光电探 根据腐蚀剂的不同，硅的各向异性腐蚀可以分 测器的光电流以及测量带宽两个参数的平方根成正 为湿法腐蚀和干法腐蚀。湿法腐蚀是指利用液态的 比；如果探测器存在内增益，光子噪声电流则与该增 化学腐蚀剂与硅发生化学反应来进行腐蚀，常用含 益成正比。光纤陀螺的理论灵敏度受光子散粒噪声 有羟基的KOH、NaOH等碱性腐蚀剂。湿法腐蚀可 的限制。 以获得大的纵深比结构，但腐蚀速率和表面粗糙度 参考文献 [1] 金国藩，李景镇主编 ．激光测量学 ．北京 ：科