硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法-中国有色金属标准质量.DOC

前 言 该标准等同采用SEMI MF 1389-0704 Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities标准。 本标准由全国半导体材料与设备标准委员会提出。 本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所负责归口。 本标准由信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所负责起草制定。 本标准主要起草人： 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 范围 该标准适用于适用于低错位单晶硅中导电性杂质。硼、磷、砷和铝含量的同时测定。 该标准用于检测单晶硅中含量为1(1011at.cm-3~5(1015 at.cm-3的各种电活性杂质元素。 引用标准 下列标准包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时所示版本均为有效。所有标准都会被修改，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 SEMI MF723— 硅中掺杂硼、磷、砷的电阻率和掺杂物浓度的转换。 SEMI C28-氢氟酸的规格和标准 SEMI C30- 过氧化氢的规格和标准 SEMI C35-硝酸的规格和标准 SEMI MF1630-单晶硅中III-V杂质的低温傅里叶变换红外光谱测量方法 SEMI MF1723-区熔晶体生长和光谱法评估多晶硅棒的操作规程。 术语和定义 3.1 定义 3.1.1缺陷光荧光谱 由硅中缺陷产生的那些特征吸收。 3.1.2电子空位液滴（EHD） 由光激发产生的激子气体的冷凝相（液体）。 注： 激子数由激子强度和激子浓度升高到足以使激子气体浓缩为液体状态点决定。EHD发光可以间接测定样品中激子的能量密度； EHD起始于样品激子强度曲线上电子空位液滴开始形成的那一点。随着激子强度的增强，EHD发光会在TO区杂质线下面的一个非常宽的特征吸收，这一特征吸收相对于其他硅荧光特征吸收增强并转变为低能量。 3.1.3激子 是由一个空位晶格（自由激子）或杂质原子点（束缚激子）结合在一起的能发光的电子空穴对。 3.1.4非本征谱（XTO（BE）或XNP（BE））-由晶格中的杂质原子点（束缚激子）捕获激子而产生的光荧光谱。 注： 在4.2K下非本征激子的结合能，它的能量比本征发射的低得多。X是杂质元素符号，BE表示束缚激子荧光谱。非本征荧光同样包括特征吸收，是因为束缚的多个激子复合（b1，b2，b3分别表示第一、第二和第三束缚的多个激子复合）。在施主荧光谱中，这些复合在TO区域出现了两个系列的谱线，叫做α系列和β系列。在符号后面加撇号来表示弱的β系列特征吸收。（即PTO(b1’)）（见表1和表2） 3.1.5本征谱（ITO（FE）） 无掺杂的纯净硅中激子复合而产生的光荧光谱。 注： “I”表示本征硅的发射。“TO”表示与跃迁相关的横向光声子。“FE”表示发射引起的自由激子的复合。（见表1） 3.1.6声子 晶格振动中简谐振子的能量量子，正如光子是电磁能量的能量量子。 注： 由于硅晶体是间接带隙，因此硅中激子的复合需要声子参与才能满足动量守恒原理。硅光荧光谱中声子类型有横向声学声子（TA）、横向光学声子（TO）、纵向光学声子（LO）。这种测试方法可以观察到与TO声子相关的特征吸收以及那些不包括声子发射的特征吸收，称为“NP”或零声子特征吸收。 表1 光致发光谱的发光峰位（真空波长） 硅本征发射光谱 ITO(FE)在8848cm-1；ILO(FE)在8860cm-1；ITA(FE)在9166cm-1 主要的轻掺束缚激子（BE）发射光谱 元素 TO 区 cm-1 NP 区 cm-1 NP/TO 区BE发射强度比值 硼 8812.6 9281.3 0.017 锑 8810.5 9280.0 0.010 磷 8806.8 9275.4 1.4 铝 8803.4 9271.8 0.7 砷 8801.0 9269.4 2.0 表2 硼和磷光致发光谱的发光峰位（真空波长） 硼的特征发光峰位 cm-1 磷的特征发光峰位 cm-1 BNP(BE)=9281.3 PNP(BE)=9275.4 BNP(b1)=9263.6 PNP(b1)=9246.4 BNP(b2)=9245.9 PNP(b2)=9223.9 PNP(b3)=9208.4 PNP(b4)=9197.8 BTA(BE)=9130.1 PTA(BE)=9124.4 BTA(b1)=9112.4 PNP(BE-2e)=8992.8A BTA(b2)=9095.2 BTO(BE)=8812.6 PTO(b1’)=8812.7B BTO(b1)=8795.0 PTO(BE)