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干法栅挖槽功率管
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:
doi 103969/ jissn1003353x2010z1008
干法栅挖槽 功率管
GaAs HFET
栗锐,王义,林罡,陈堂胜
(南京电子器件研究所南京, )
210016
摘要:介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时 表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采
GaAs
用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制消除了, ,
两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用 刻蚀挖槽,确定了低损伤与各向异性
ICP
刻蚀的最佳条件采用该工艺制作的 功率管 个 管芯合成的内匹配功率管在
。 GaAs HFET ,4 27 mm
条件下输出功率为 、功率增益 、功率附加效率大于 。
56 GHz 53 W 11dB 47%
关键词:干法刻蚀;自停止;表面缺陷;侧蚀
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )增刊
TN30323 A 1003353X 2010 002403
Dry Etching Gate Recess for GaAs HFET Power Transistor
, , ,
Li Rui Wang Yi Lin Gang Chen Tangsheng
( , , )
Nanjing Electronic Devices Institute Nanjing 210016 China
: ,
Abstract In order to avoid the surface defect which is caused by contamination oxidation and damage
,
of the undercut GaAs surface resulting from wet etching gate recess process dry etching gate recess process
,
was presented. No undercut and etching stop were got with this process thus the schottky contact was
,
achieved and the channel was controlled stably and reliably and the effect of surface defects beside gates on
the channel ca
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