cigs薄膜太阳能电池——进一步提升效率的突破口 - pv-tech每日 .pdfVIP

技术 薄膜技术 CIGS薄膜太阳能电池 ——进一步提升效率的突破口 Stephan Buecheler, Fabian Pianezzi, Patrick Reinhard, Enrico Avancini, Lukas Kranz, Fan Fu Ayodhya N. Tiwari Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa – Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, Dübendorf, Switzerland 本文原载于第二十六期《Photovoltaics International》技术季刊中 摘要: 在过去的两年里，多晶Cu(In,Ga)Se (CIGS)、CdTe和钙钛矿薄膜太阳能电池的发电性能都得到了显著的提升。本文 2 将回顾CIGS薄膜太阳能电池的若干关键技术突破，并通过分析目前在最高效率CIGS太阳能电池中依然存在的电损失和 光损失问题来探讨未来进一步提升发电性能的可行性。分析结果指出，在不远的中期CIGS太阳能电池的转换效率将有 望提升至25%。此外，本文还将讨论到多晶多结概念太阳能电池的转换效率甚至有望突破30%。最后，本文还简要概 述了CIGS太阳能电池市场状况并从产业视角展望其未来发展。 前言 化(BIPV)和建筑屋顶等场合上的重要因素；而这些特性也将 大幅度降低光伏系统的整体成本。 近年来薄膜光伏太阳能技术的进步让未来有望生产 出低成本、高效率且持久耐用的太阳能组件。例如，目前 “为了使太阳能电池的转换效率最大 Cu(In, Ga)Se2 (CIGS)太阳能电池的实验室发电效率已经达到 化，吸收层的最佳禁带宽度应该控制 了接近22%的优异水平，并超过了现今光伏市场主导者—— 在1.1到1.5eV之间，对应的最大理论 多晶硅(px-Si)太阳能电池20.4%的最高转换效率。 转换效率值接近33%。” CIGS材料最小只需要2-3um的厚度就能有效吸收光 线，仅相当于多晶硅(px-Si)材料厚度的百分之一。这一优点 极大减少了制造薄膜太阳能电池所需的原材料，同时依靠 多晶态CIGS是一种稳定的P型半导体材料，可以用于 大面积沉积工艺大幅度缩短薄膜太阳能电池组件的能量回 制备薄膜太阳能电池的吸收层。通过改变这种材料中In和 收时间。此外，依靠薄膜技术还能通过沉积工艺制备出以 Ga元素的比例，可以调节吸收层的禁带宽度，调节范围 聚合物或金属薄片为衬底的柔性太阳能电池。柔性化、轻 为1.0到1.7eV之间。对比用于预测太阳能电池理论效率的 质化以及高效率是太阳能电池能应用在诸如光伏建筑一体 肖克利•奎伊瑟效率极限(Shockley-Queisser Limit)，可以发 现这一区间完全覆盖了太阳能电池转换效率的理想禁带宽 度范围(图一)。经过计算，为了使太阳能电池的转换效率 最大化，吸收层的最优禁带宽度应该控制在1.1到1.5eV之 间，对应的最大理论转换效率值接近33%。现有最高效率 CIGS太阳能电池的平均能量禁带宽度为1.15-1.2eV。 不过，目前实际取得的CIGS太阳能电池21.7%的效率 记录与肖克利•奎伊瑟效率极限仍有较大差距。为此，