化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征.pdfVIP

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2017-07-04 发布于天津
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化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征.pdf

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化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征.pdf

第卷增刊半导体学报 *’ aD2*’ % D9196C ! ! ! ! ! GG 年月 $ *++. ’ #8Q!%!M_e]Q$?_^%!=#_QNe#[_]% M69*++. 化学气相沉积)5W6J 同质外延膜的生长及其特征 , , , , , * , 高欣孙国胜李晋闽赵万顺王雷张永兴曾一平 ! ! ! ! ! ! ! ! # $ % ,中国科学院半导体研究所材料中心北京 ,+++-0 ! # $ % *兰州大学物理学院兰州 )0++++ ! ’ # % / 0 # % 摘要采用常压化学气相沉积方法在偏向晶向的型面衬底上进行同质外延 $#aN ,,*+ -i G (8J%;# +++,%;J $ 生长霍尔测试的结果表明非有意掺杂的外延膜层导电性为型测试显示各个样品只在位于附 2 6 2A]N * g0.b.i $ 近出现一个谱峰表明外延膜是单晶在低温谱中对于在较低温度下外延生长的样品在 $ %;# 2 ? $ (8J%;# $ ,b- $ $ 范围内出现很宽的谱峰而在该样品的谱中也观察到了典型的的特征峰表明该样品含有 *b(9a 2 ]5156 0#J%;# 立方相的混晶$这与谱获得的结果相吻合 %;# ? 2 ’ ( ( ( 关键词碳化硅化学气相沉积 ]5156 ? ) ( ( $% -,’+# ’-.. )-.. 中图分类号’ j 0