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用于航天器的热致变色可变发射率热控器件.pdf

用于航天器的热致变色可变发射率热控器件

(19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102249009A* (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 102249009 A (43)申请公布日 2011.11.23 (21)申请号 201110122100.8 (22)申请日 2011.05.12 (71)申请人 南京理工大学 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200 号 (72)发明人 李强 宣益民 范德松 方俊飞 (74)专利代理机构 南京理工大学专利中心 32203 代理人 唐代盛 (51)Int.Cl. B64G 1/50 (2006.01) B64G 1/58 (2006.01) H01L 23/373 (2006.01) 权利要求书 1 页 说明书 5 页 附图 2 页 (54)发明名称 用于航天器的热致变色可变发射率热控器件 (57)摘要 本发明公开了一种用于航天器的热致变色可 变发射率热控器件,在热致变色材料基片上设有 光学薄膜,该光学薄膜在250-2500 纳米的光谱范 围反射太阳辐射,在2.5-30 微米的波长范围内发 射红外辐射。本发明当热控器件粘贴到航天器表 面时,该热致变色材料基片的发射率随温度的变 化自主调整,起到控制温度的作用;热控器件具 有耗能小,重量轻,无运动部件的优点,不仅更好 地实现温度控制,而且太阳吸收率低,可广泛用于 各类航天器热控制。 A 9 0 0 9 4 2 2 0 1 N C CN 102249009 A 权 利 要 求 书 1/1 页 1. 一种用于航天器的热致变色可变发射率热控器件,其特征在于在热致变色材料基片 [2]上设有光学薄膜 [3],该光学薄膜 [3]在250-2500 纳米的光谱范围反射太阳辐射,在 2.5-30 微米的波长范围内发射红外辐射。 2. 根据权利要求1 所述的用于航天器的热致变色可变发射率热控器件,其特征在于所 述的热致变色材料基片 [2]是钙钛矿锰氧化物,该钙钛矿锰氧化物的分子式为La A MnO , 1-x x 3 其中0.175 ≤x ≤0.3,A 是二价碱土金属离子Ca 和/ 或Sr 中的一种。 3. 根据权利要求1 所述的用于航天器的热致变色可变发射率热控器件,其特征在于所 述热致变色材料基片 [2] 的厚度不超过500 微米,其表面均方根粗糙度不大于10 纳米。 4. 根据权利要求1 所述的用于航天器的热致变色可变发射率热控器件,其特征在于光 学薄膜 [3]层数为1-20 层。 5. 根据权利要求4 所述的用于航天器的热致变色可变发射率热控器件,其特征在于光 学薄膜 [3] 的最优层数为7-12 层。 6. 根据权利要求1 所述的用于航天器的热致变色可变发射率热控器件,其特征在于所 述光学薄膜 [3]是以真空蒸发法或溅射法逐层沉积于热致变色材料基片 [2]上。 7. 根据权利要求1 所述的用于航天器的热致变色可变发射率热控器件,其特征在于所 述光学薄膜 [3] 的材料为半导体物质。 8. 根据权利要求7 所述的用于航天器的热致变色可变发射率热控器件,其特征在于所 述半导体物质含有Si、MgF 或Ge。 2 9. 根据权利要求1 或4 所述的用于航天器的热致变色可变发射率热控器件,其特征在 于所述光学薄膜 [3] 的每层膜厚在20-400 纳米范围内。 2 CN 102249009 A

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