电子学I第四章双极性接面电晶体题库.DOC

電子學I第四章雙極性接面電晶體 題庫 ◎ 選擇題，共100題( ) 1. 若α =0.99的電晶體，其IE=10.2mA，IB=0.2mA，則此電晶體操作於 (A) 主動區　 (B) 飽和區　 (C) 截止區　 (D) 逆向主動區 ( ) 2. 下列何者錯誤？ (A) 主動區：　 (B) 主動區：　 (C) 飽和區：　 (D) 逆向主動區： ( ) 3. NPN型電晶體操作於截止區，則 (A) VBE0，VBC0　 (B) VBE 0，VBC 0　 (C) VBE 0，VBC 0　 (D) VBE 0，VBC 0 ( ) 4. NPN型電晶體操作於主動區，則 (A) VE VB VC　 (B) VE VB VC　 (C) VB VC VE　 (D) VB VC VE ( ) 5. 電晶體共基極組態的洩漏電流ICBO與共射極組態的洩漏電流ICEO的關係為 (A) ICEO = (β + 1)ICBO　 (B) ICEO = βICBO　 (C) ICEO = (1 - α)ICBO　 (D) ICEO = αICBO ( ) 6. 電晶體當作放大器使用時，接面偏壓為 (A) B–C接面順偏，B–E接面逆偏　 (B)–E接面順偏，B–C接面逆偏　 (C)–E接面順偏，B–C接面順偏　 (D) B–E接面逆偏，B–C接面逆偏 ( ) 7. 比較共基極電流增益α、共射極電流增益β與共集極電流增益γ的大小 (A) α β γ 1　 (B) γ β α 1　 (C) γ β 1 α　 (D) β 1 α γ ( ) 8. 電晶體當作電子開關使用時，電晶體應操作在 (A) 主動區　 (B) 飽和區　 (C) 截止區　 (D) 飽和區及截止區 ( ) 9. 電晶體三層構造中，摻雜濃度的大小為 (A) E＞B＞C　 (B) E＞C＞B　 (C) B＞E＞C　 (D) C＞B＞E ( )10. 若一電晶體在主動區操作模式下，射極電流為10.05mA，集極電流為10mA，則其電流增益值為 (A) α = 1.005，β = 200　 (B) α = 1.005，β = 201　 (C) α = 0.995，β = 200　 (D) α = 0.995，β = 201 ( )11. 若電晶體開關在ON狀態時，電晶體應操作在 (A) 主動區　 (B) 飽和區　 (C) 截止區　 (D) 逆向主動區 ( )12. PNP型電晶體操作於飽和區，則 (A) VC VB VE 　 (B) VE VB VC　 (C) VB VE VC　 (D) VE VC VB ( )13. NPN型電晶體操作於飽和區，則 (A) VBE 0，VBC 0　 (B) VBE 0，VBC 0　 (C) VBE 0，VBC 0　 (D) VBE 0，VBC 0 ( )14. 電晶體操作於飽和區時，接面偏壓為 (A) B–C接面順偏，B–E接面逆偏　 (B)–E接面順偏，B–C接面逆偏　 (C)–E接面逆偏，B–C接面逆偏　 (D) B–E接面順偏，B–C接面順偏 ( )15. PNP型電晶體操作於飽和區，則 (A) VEB0，VCB0　 (B) VEB0，VCB0　 (C) VEB0，VCB0　 (D) VEB0，VCB0 ( )16. 若PNP型電晶體IE = 10mA，IC = 9.5mA，VCB = 0.5V，則電晶體操作在？ (A) 主動區　 (B) 飽和區　 (C) 截止區　 (D) 崩潰區 ( )17. 續上題，此時BE接面偏壓狀況為 (A) 順偏，VBE = 0.7V　 (B) 逆偏，VBE = 0V　 (C) 順偏，VBE = 0.5V　 (D) 順偏，VBE = ?0.7V ( )18. 電晶體三層構造中，哪一極的寬度最薄？ (A) 都一樣寬　 (B) E極　 (C) C極　 (D) B極 ( )19. 若一電晶體在主動區操作模式下，射極電流為5.05mA，基極電流為50μA，則其β 值為 (A) 99　 (B) 100　 (C) 101　 (D) 125 ( )20. 歐利效應：當B–C接面逆向偏壓增加時，何者有誤? (A) IE略增　 (B) IC略增　 (C) IB略增　 (D) β 略增 ( )21. 若PNP型電晶體IE = 10mA，IC = 9.9mA，VCB = ?10V，則電晶體操作在？ (A) 主動區　 (B) 飽和區　 (C) 截止區　 (D) 崩潰區 ( )22. 續上題，若電晶體IE維持10mA，VCB降為0