第五章 场效应管放大电路.ppt

第5章 场效应管放大电路 场效应管 2.工作原理 ①栅源电压VGS对iD的控制作用 ②漏源电压VDS对iD的影响 JFET工作原理（动画2-9) (3)伏安特性曲线 (3)伏安特性曲线 可变电阻区 夹断区 ②转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 金属-氧化物-半导体场效应管 N沟道增强型场效应管 N沟道增强型场效应管的工作原理 （1）.栅源电压VGS的控制作用 栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用 2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 增强型MOSFET的工作原理 MOSFET的特性曲线 2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RGS (2) 场效应三极管的型号 几种常用场效应三极管的主要参数 双极型三极管与场效应三极管的比较 结型场效应管放大电路 （2）分压式偏压电路及静态分析 （3）动态分析的小信号分析法 （3）动态分析的小信号分析法 交流分析 交流分析 7. 输出电阻rd从输出特性曲线上可以了解这个概念。 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型 N沟道 P沟道 与 PNP型 绝缘栅 增强型 N沟道 P沟道 分类 C与E一般不可 绝缘栅 耗尽型 N沟道 P沟道 倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，且有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 绝缘栅 增强 型 N 沟 P 沟 绝缘栅耗 尽 型 N 沟 道 P 沟 道 （1）自偏压电路及静态分析(VGSQ、IDQ、VDSQ) VGSQ=-IDQ?R IDQ= IDSS[1－(VGSQ /VP)]2 解方程组，去掉无意义的解 VDSQ=VDD-IDQ(Rd+R) 注意与三极管的比较 组态： 外部条件： 共源极 G、S反偏 直流通道 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VG－VS= VG－IDQR IDQ= IDSS[1－(VGSQ /VP)]2 VDSQ= VDD－IDQ(R+Rd ) 由此可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。 不仅需要计算： VGSQ、IDQ、VDSQ 还需要计算：VG 注意：Rg3的作用 前提：满足外部工作条件 低频模型 前提：满足外部工作条件 小信号等效电路 ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 N沟道耗尽型结型场效应管放大器的自偏压电路如图1(a)所示。其中场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻R接地。 场效应管放大器的自偏压电路 MOS型FET的对比------直流偏置电路 1.自偏压电路 图1(a) 图1(b) 自偏压电路工作