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* 　8.1.1 固定ROM 8.1 只读存储器（ROM） 　8.1.2 可编程ROM 　8.1.4 ROM应用举例 8.1.3 ROM读操作实例 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM（随机存取存储器）特点：存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM（只读存储器）特点：断电后信息不会丢失。 固定ROM （掩模ROM） 可编程ROM （PROM） PROM EPROM E2PROM ROM一般分类 FLASH 1. ROM的基本结构 8.1.1 固定ROM 存储单元排列成矩阵形式，且按一定位数进行编组，每次读出一组数据，这一组数据称为字。一个字中所含的位数称为字长。为存储字的存储单元赋予一个编号，称为地址。构成字的存储单元也称为地址单元。 1. ROM的基本结构 8.1.1 固定ROM ROM结构示例 存储单元排列成矩阵形式，且按一定位数进行编组，每次读出一组数据，这一组数据称为字。一个字中所含的位数称为字长。为存储字的存储单元赋予一个编号，称为地址。构成字的存储单元也称为地址单元。 1. ROM的基本结构 8.1.1 固定ROM ROM结构示例 存储容量：存储二值信息的总量。 存储容量＝字数×位数 地址单元的个数N与二进制地址码的位数n满足关系式 地址码 1. ROM的基本结构 8.1.1 固定ROM 字线与位线的交点都是一个存储单元。交点处有二极管相当存1，无二极管相当存0。 2. 二维译码与存储阵列 8.1.1 固定ROM 该ROM的容量为 28×1位 16?16存储阵列 列译码 字线与位线的交点都是一个存储单元。 交点处有MOS管相当存0，无MOS管相当存1。 行译码 1. 可编程开关管 8.1.2 可编程ROM （1）叠栅注入MOS开关管（SIMOS） 用紫外线或X射线照射器件20分钟擦除 漏源间加正电压（大于12V）编程 1. 可编程开关管 8.1.2 可编程ROM （2）Flotox MOS管开关 将控制栅接地，漏极加20V正脉冲电压擦除。 源极、漏极均接地，控制栅加20V的脉冲电压编程。 1. 可编程开关管 8.1.2 可编程ROM （3）快闪（Flash）叠栅MOS管开关 擦除方式类似于Flotox MOS管。 源极接地，漏极接正电压（6V） ，同时在控制栅加12V正脉冲电压编程。 2. 几种可编程ROM 8.1.2 可编程ROM （1）PROM 一次可编程存储器。出厂时，PROM存储内容全为1（或者全为0），用户可以根据要写入的数据，利用编程软件生成编程数据（也称为熔丝图），再通过通用或专用的编程器，写入存储的内容。 2. 几种可编程ROM 8.1.2 可编程ROM （2）EPROM 光可擦除可编程存储器。存储阵列由SIMOS管构成，其数据写入需要通用或专用的编程器。EPROM芯片的封装外壳装有透明的石英盖板，用紫外线或X射线照射擦除全部内容。擦除后可重新写入数据。 如今大多数PROM实际上是不装透明石英盖板的EPROM，因而无法擦除，只能写入一次，也称OTP（One Time Programmable）EPROM。 2. 几种可编程ROM 8.1.2 可编程ROM （3）E2PROM 电可擦除可编程存储器，由Flotox MOS管构成。既具有ROM的非易失性，又具有写入功能。改写过程就是电擦除过程（在线擦除），改写以字为单位进行。目前，大多数E2PROM芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读、擦除/写操作。与EPROM相比，E2PROM的存储单元电路复杂，所以集成度低。 2. 几种可编程ROM 8.1.2 可编程ROM （4）FLASH储器 FLASH存储器由快闪叠栅MOS管构成。FLASH存储器的擦除和写入是分开进行的，通过在快闪叠栅MOS管的源极加正电压完成擦除操作，而在MOS管的栅极加高的正电压完成写入操作。因此写入前，首先要进行擦除。由于FLASH存储器的存储单元结构简单（只需要一个快闪叠栅MOS管），所以集成度比E2PROM高。 2. 几种可编程ROM 8.1.2 可编程ROM 几种ROM性能比较 是 否 否 是 在系统可写 否 是 是 是 单管存储单元 否 是 是 是 高密度 是 是 是 是 非易失性 E2PROM EPROM ROM FLASH存储器 1. PROM芯片AT27C010简介 8.1.3 ROM读操作实例 128K×8