sno 薄膜与n sno ／p si异质结光电特性的研究 - 华南师范大学学报.pdf

华南师范大学学报 （自然科学版） ２０１４年９月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＣＨＩＮＡＮＯＲＭＡＬＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ 第４６卷第５期 　　　　　　　　　　　 Ｓｅｐ．２０１４ 　　　　　　　　　　　 （ＮＡＴＵＲＡＬＳＣＩＥＮＣＥＥＤＩＴＩＯＮ） 　Ｖｏｌ．４６　Ｎｏ．５ 文章编号：１０００－５４６３（２０１４）０５－００４５－０４ ＳｎＯ 薄膜与ｎＳｎＯ／ｐＳｉ异质结光电特性的研究 ２ ２ １ １ １ ２ 刘咏梅 ，赵灵智 ，姜如青 ，邢瑞林 （１．华南师范大学光电子材料与技术研究所，广州５１０６３１；２．广东省羊城照明电器研究院，广州５１００４０７） 摘要：基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立ＳｎＯ 超晶胞模型并进行几何结构优化，对其能带 ２ 结构进行了模拟计算．结果显示，导带底和价带顶位于Ｇ点处，表明ＳｎＯ 是一种直接带隙半导体．同时，采用脉冲 ２ 激光沉积法分别在蓝宝石衬底和Ｓｉ衬底上制备出ＳｎＯ 薄膜及ｎＳｎＯ／ｐＳｉ异质结．扫描电镜结果表明，ＳｎＯ 薄膜 ２ ２ ２ －３ 晶粒均匀．霍尔测试结果表明，ＳｎＯ 薄膜载流子浓度高达１３９×１０２０ｃｍ ．吸收谱测试表明，ＳｎＯ 薄膜光学带隙 ２ ２ 为３７３ｅＶ．ｎＳｎＯ／ｐＳｉ异质结的ＩＶ曲线显示出其良好的整流特性． ２ 关键词：第一性原理；ＳｎＯ 薄膜；脉冲激光沉积法；ｎＳｎＯ／ｐＳｉ异质结；光电性质 ２ ２ 中图分类号：Ｏ４７５　　　文献标志码：Ａ　　　ｄｏｉ：１０．６０５４／ｊ．ｊｓｃｎｕｎ．２０１４．０６．０１３ ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｎＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＳｎＯ ＦｉｌｍｓａｎｄｎＳｎＯ／ｐＳｉＨｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ２ ２ １ １ １ ２ ＬｉｕＹｏｎｇｍｅｉ，ＺｈａｏＬｉｎｇｚｈｉ ，ＪｉａｎｇＲｕｑｉｎｇ，ＸｉｎｇＲｕｉｌｉｎｇ （１．ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６３１，Ｃｈｉｎａ； ２．ＧｕａｎｇｄｏｎｇＹａｎｇｃｈｅｎｇＩｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎａｎｄＬｉｇｈｔｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ５１０４０７，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＢａｓｅｄｏｎｆｉｒｓｔｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓＤＦＴｐｌａｎ