方法制造SrTiO.sub.3系列压敏电阻用晶界偏析.docVIP

方法制造SrTiO.sub.3系列压敏电阻用晶界偏析 抽象 本发明涉及一种用于制造SrTiO.sub.3系列变阻器采用晶界偏析的方法，更特别是，在制造粉末烧结而成的一个组成一SrTiO.sub.3系列压敏电阻的方法，其中受体如Al和Fe粉中添加表格，然后在还原气氛和热处理它们在空气中有选择性地在晶界形成了制造业SrTiO.sub.3系列压敏电阻具有导电障碍烧结过程中的一个优良的非直线系数和击穿电压使用。 发明家： 康;锡高冢 （大田， 雷克南）王，晟敏 （汉城， 雷克南），中，宋润 （仁川， 雷克南） 受托人： 韩国科学技术院 （大田， 雷克南） 耳目一新。编号： 七百〇九分之十一，291 归档： 2007年2月22日 外国申请优先级数据 2006年3月30日[雷克南] 10-2006-0028983 当前美国类别： 二十〇分之三百三十八 ; 29/610.1;六百一十一分之二十九;224分之338;三百三十三分之三百三十八 当前国际班： H01C 7 / 10 现场搜索： 二十〇分之三百三十八，21,22?,223 - 224，333 29/610.1 ,611 - 612，619851321分之361 引用引用 由]引用[ 美国专利文献 4551269 1985年11月 亨宁斯等