gaas 异质结材料boa 光开关特性分析 - 光子学报.pdfVIP

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2017-09-02 发布于天津
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gaas 异质结材料boa 光开关特性分析 - 光子学报

30 2 光子学报Vol.30 No. 2 2001 2 ACTA PHOTONICA SINICAFebruary 2001 GaAs BOA 黄旭涛　江晓清　尹　锐　杨建义　王明华 (, 310027) -mail: phal 12@ isee.zju. edu.cn 本文较为详细地讨论了GaAs 异质结材料BOA 型开关的特性; 并应用转移矩阵理论和有效折射率法计算和分析了电极结构与器件半波电压和串音度的关系. 结果表明: 通过优化设计电极的宽度可以获得BOA 型开关最小的半波电压; 电极位置的对称性对器件串音度起决定性的影响. 采用自对准工艺技术可以比较准确的控制电极的位置. 分析表明: 要得到 - 40dB 的串音度, 电极位置偏差必须小于0. 3m. BOA; 转移矩阵理论; 自对准工艺; 异质结 0 , , . , , . , 22 BOA . : ( ) ( ) ( - 40 ) . DC TIR X dB Mach-Zehnder ( MMI) 14 1 ( BOA) .BOA ( ) , BOA Y , , . ( ) GaAs , 1(a) . , , BOA . GaAs BOA 22 , - 26 13 dB V , 3dB 1GHz1. . GaAs 1BOA (a) ( b) BOA Fig. 1Structure of BOA type optical switches (a) , 1 ( ) and optical field distribution b - 40dB5V 3dB ( 1 2) , 2 . 5GHz. BOA , * 国家自然科学基金(No. 、国家重点基础研究发展规划资助项目(No.G1999033104) 收稿日期:2000-05-22 158 光　子　学　报 30 , . , = 1 2, 12 i m C C , , ( ) . , F11(x) = sin(x) ,F 12(x ) = cos(x) , . 1(b) 21( ) = (- ) , 22 ( ) = ( ) ( 2) F x exp x F x exp x ( ,