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常德工业学校对口班《电子技术》第二次月考试卷
时间:100分钟 满分:150分
姓名: 得分:
填空题:(每空2分,共40分)
1、单相全波整流电路,如果电源变压器副边电压为100V,则负载电压将是 90 V,他的纹波频率是100Hz,整流二极管在选择时要满足Iv1/2Io、VRM2√2V2
2、把交 流电变成脉动直流电的电路叫整流电路,采用二极管做整流元件是因为二极管有单向导电特性。
3、结型场效应管有两种即N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
4、二极管的反偏电压越小,结电容越大
5、稳压二极管工作在反向击穿区,在实际中一般采用硅材料制作。其型号有2CW和2DW两大类。
6、电感滤波是将电感线圈与负载串联以增大路的交流阻抗,限制交流分量通过负载。所以负载电流越大,或负载变化越大时,其滤波效果越显著。
7、发光二极管的正向压降是1.2v~2.5v,正常发光的电流大约为10mA。
8、非线性失真有两种类型,分别是饱和失真与截止失真。在三极管基本放大电路中,若RB太小会出现截止失真。
选择题:(每题3分,共24分)
1、集电结是指下列哪两个极之间。 ( B )
A、 B、E极 B、 B、C极 C、 C、E极 D、G、S极
2、下列哪类场效应管的VGS加正向电压不能工作 ( A )
A、N沟道结型 B、N沟道耗尽型 C、N沟道增强型 D、P沟道耗尽型
3、集成电路W7809是完成下列哪个作用。 ( D )
A、滤波 B、整流 C、放大 D、稳压
4、图中所示电路D1、D2为理想二极管,输出VO的波形正确的是( B )
A、1 B、2 C、3 D、4
5、下列哪种材料导电能力最差 ( B )
A、镀金导线 B、纯净半导体 C、锗P型半导体 D、硅P型半导体
6、已知Ai=1000,则Gi?为多少 ( A )
A、60dB B、40dB C、30dB D、60
7、放大器的输出电阻ro越小,则 ( A )
A、带负载能力越强 B、带负载能力越弱
C、放大倍数越低 D、放大倍数越高
8、当温度升高,半导体的电阻率将 ( D )
A、不确定 B、不变 C、变大 D、变小
判断题:(对的打(错的划(每题2分,共16分)
1、在电路中的些三极管采用了散热片,其目的是提高反向击穿电压 ( ( )
2、放大器电路中电流太大,会使电阻烧坏,电压过高会使绝缘体击穿,
功率太大会产生过热现象。 ( ( )
3、二极管的最高反向工作电压是击穿电压的1/2到2/3。 ( ( )
4、三极管放大电路中,共发射极组态既具有电压放大作用,
又有电流放大作用。 ( ( )
5、三极管用放大倍数β来表示其控制能力,β越大说明其控制能力越强;
场效应管用跨导来表示其控制能力,跨导越小说明其控制能力越小。 ( ( )
6、稳压二极管的限流电阻不能太大,一般越小越好。 ( ( )
7、在桥式整流电路中若有一个整流二极管短路则输出电压降低一半。 ( ( )
8、截止失真与双向失真都属于放大器的非线性失真。 (( )
计算题:(要写出主要计算步骤。每题10分,共30分)
1、如图所示的单管放大电路中,VCC=12.7V,RC=3KΩ,β=80,rbb=300Ω,V0.7V
要使静态工作时VCEQ=6.7V,Rb的值要为多大? (8分)
若输出端上接上负载电阻RL=6KΩ,计算此时的电压放大倍数(2分)
2、电路如图所示,二极管为理想二极管。(10分)
画出电阻R1和R2上的电压波形,并指明幅值(5分)
计算流过每个二极管的整流电流平均值(3分)
求出每个二极管所承受的反向峰值电压。(2分)
3、两个稳压管VA、VB的稳压值分别为8V与6V,试计算
(1)两个管子混联在一起,可得到几种稳压值?(8分)
(2)上述混联中哪种联接方式最好?(2分)
综合题:
1、用二极管、发光二极管、12V稳压电源及电阻待设计一个电路,让其完成下列功能?(22分)
(1)有五条相同并联支路中有一条支路短路,则发光二极管发光指示。(12分)
(2)有五条相同并联支路都让二极管做指示,但当有一条开路时,对应二极管应
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