稀土Er离子注入GaN薄膜晶格损伤和发光特性研究论文.pdf

2005年12月 第十三届全目电子束·毒子束·光子束学柬年套 湖南·长沙 稀土Er离子注入GaN薄膜晶格损伤 和发光特性研究 陈维德宋淑芳 (中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室，‘北京100083) 摘要：掺稀土GaN材料在光通讯和显示技术等方面有广泛的应用前景。本文利用背散射／沟道技 术和光致发光谱等技术研究不同离子注人条件对Er离子注入GaN薄膜微结构和发光特性的影响。背 散射／沟道技术分析结果指出，随稀土注入剂量和能量增加，引入的晶格损伤总量增加，沟道注人和升 温(400。C)注人可以减少损伤的引入，热退火可使部分晶格损伤得到恢复。采用合适的离子注人参数 和高温退火工艺，可获得强的室温GaN：Er在1．54mm的红外发光。 关键词：离子注人，稀土元素，GaN，光致发光。 1引盲 等可见光。在GaN中掺入一种稀土元素可获得一种非常纯的单色光。如果掺人两种或多种不同比例 的稀土元素可获得混合色彩的光；如果借助掩膜技术可实现白光或全色显示。 近年来发展起来的掺稀土GaN薄膜电致发光材料，可克服液晶显示材料的不足，也可克服ZnS， SrS等薄膜电致发光材料的缺点，可望成为一种新的最有前途的平板显示材料。掺稀土GaN不仅可发 出各种可见光，而且还可发出近红外光，在光纤通讯，军事，医学，消费电子产品等领域有重要应用，尤 其该近红外波长(如0．8，1．3，1．5mm)正好对应于光纤通讯中石英玻璃光吸收最小值。因此，在光纤通 讯中有潜在的重要的应用。掺稀土G8N具有稳定的物理和化学性质。它有很高的光激活率，稀土元素 在GaN中有很高的固溶度。掺稀土的GaN还有一个重要特点是它的温度猝灭很弱，这对于制备室温 光电子器件非常重要。由于上述的原因，掺稀土GaN发光材料的研究引起人们很大的兴趣和广泛的研 究oIt-61 GaN的稀土掺杂主要有两种方法，一是原位掺杂，二是离子注人。离子注入具有选医掺杂，精确控 制掺杂浓度和深度分布等优点而受到人们的关注。为了获得最强的室温GaN：Er的发光，必须采用最 佳的离子注入条件和退火工艺。本文利用背散射／沟道技术和光致发光谱等技术研究不同离子注入条 件对Er掺杂caN薄膜微结构和发光特性的影响。 2实验 作者筒弁：阵维蕾，研究员，博士生导师，从事硅基发光和掺稀土半导体发光研究。 通讯作者：wdchen@tedammi．耻．吼 -151- 2005年12月 第十三届全国电子束·离子柬·光子束学术年会 湖南·长沙 温度范围是700℃一10006C，退火时问是30分钟。 室温红外发光采用I砖／20HR傅立叶变换红外光谱仪测量，分辨率是16em～，激发光源是 放大，由计算机进行数据采集和处理。离子注人损伤利用2MeV的He+离子进行背散射／沟道分析，背 散射的探测方向在165。，使用三维定角器进行角度扫描。 3实验结果和讨论 3．1卢瑟福背散射分析 · 3．1．1注人能量对损伤的影响 图中可知．当注人能量为200KiV时，定向谱中只出现了一个峰，而且峰的宽度比较宽；当注入能量为 200KeV对应的投影射程小，导致A峰和B峰重叠不能分开。利用随机谱和定向谱，选取晶格损伤区 间进行积分，然后用定向谱的积分面积减去退沟道部分的面积，即可得到近似的晶格损伤总量。注人 上的晶格损伤量)而言．注人能量为400KeV样品低于注入能量为200Kev样品。 萱基 Channel 图1不同Er注入能量样品的随机谱和沿0001晶向的定向谱 3．1．2注人剂量对晶格损伤的影响 注入离子的剂量对基体材料的晶格损伤影响很大。图2是Er注入能量为400KeV时，不同注人剂 量样品的随机谱和沿0001晶向的定向谱。从图中可知，注入前G8N样品的定向谱只出现了一个峰 时，定向谱中仍然只有一个A峰，只是A峰的产额有所提高；当注人剂量为3x10‘4at／era2时。定向谱中 出现了两个峰，即A峰和B峰。B峰是由于CaN的晶格损伤层中位移原子Ga