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提拉法Ti：LiAlO2晶体的生长、缺陷及N2退火研究.pdf
第36卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．36 No．6
2007年 12月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYsTALS December，2007
提拉法Ti：LiAIO2晶体的生长、缺陷及N2退火研究
黄涛华 ，周圣明 ，邹 军 一，周健华 ，林 辉 ，王 军
(1．中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800；2．中国科学院研究生院，北京100039)
摘要：本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0．1％原子分数的LiA10 单晶体，借助光学显微镜，结合化学腐
蚀法，对Ti：LiA10 晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究，用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下
流动N 气氛退火过的表面形貌。结果表明：Ti：LiA10 晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑，
位错密度约为5．0×10 cm～，9000C空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大；N 退火能显著影响晶片的表面形貌，
当退火温度为9000C时，晶片的均方根粗糙度(RMS)达到最低值。
关键词：Ti：LiA102；化学腐蚀；N2退火
中图分类号：0781 文献标识码：A 文章编号：1000-985x(2007)06—1249-04
Study on the Growth，Defects and N2 Annealing of Ti：LiAIO2 Crystal
HUANG Tao—hua。一 ZHOU Sheng．ming。 ZOU Jun。一，ZHOU Jian．hua。 ，LIN hui。 ，WANG Jun。
， ，
(1．Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics，Chinese Academy of Sciences，Shanghai 201800，China；
2．Graduate School of the Chinese Academy of Sciences，Beijing 100039，China)
(Received 12 February 2007)
Abstract：0．1 at％ Ti doped LiAIO2 crystal was grown by Czochralski method．The defects of Ti：LiAIO2
(1 00)slices be~re and after air annealing were investigated by chemical etching and Leitz optical
microscopy．The surface morphologies of Ti：LiAIO2(100)slices annealed in flowing N2 at different
temperatures were observed by AFM．The results show that etch pits on(1 00)plane fire pyramidal and
the total dislocation density is about 5．0×10 cm～．The size of etch pits on Ti：LiAIO2(100)plane
became larger after the slice was annealed in air at 900~C．N2 annealing can change the surface
morphologies of slices，and the RMS roughness of the slice annealed at 900~C is the lowest．
Key words：Ti：LiAIO2；chemical etching；N2 annea
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