第1章第4讲全控型电力电子器件GTR.pptVIP

电子技术论坛 电力电子技术 第一章 电力电子器件 复习： 晶闸管的特性 晶闸管的主要参数 晶闸管的门极驱动电路和缓冲电路 晶闸管的派生器件 作业： 第五节 其他新型电力电子器件 ———全控型器件 1.5.1 电力晶体管（GTR） 1.5.2 可关断晶闸管（GTO） 1.5.3 功率场效应晶体管MOSFET 1.5.4 IGBT 1.5.5 功率集成电路及其他 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管）。 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。双极型功率晶体管BJT的容量水平已达1.8kV／lkA，频率为20kHz。 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 术语用法： 一. 电力晶体管GTR/BJT 应用： 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 1. GTR的结构 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符