镀膜技术2.pptVIP

* 简单的溅射装置 氩气入口 钟罩 阴极屏蔽 阴极，靶 阳极 加热器 基片衬底 高压线 高压屏蔽 高压 至真空泵 惰性气体电离，氩离子偏压加速，轰击靶材，动量传输，级联碰撞，溅射出靶原子，形成薄膜。 特点： 溅射粒子能量：几个电子伏/原子，薄膜比蒸发牢固。 离子能量、方向分布、质量不同，溅射速率不同 不同靶材溅射率不同。 溅射出的粒子包括一小部分离子——二次离子，可用来进行表面成分分析。 溅射效率不高，为提高溅射效率，通常增加氩离子速率、密度，但效果不明显。 溅射 除真空蒸发之外，最常用的物理沉积方法 溅射镀膜的基本原理： 溅射是轰击粒子与靶原子之间动量传递的结果 溅射：荷能粒子轰击固体表面，当表面原子获得足够大的动能而脱离固体表面，从而产生表面原子的溅射。 中性原子或分子: 薄膜淀积的基本条件; 二次电子: 维持辉光放电的基本粒子, 并使基板升温. 95%的能量作为热量被损耗, 只有5%的能量传递给二次发射的粒子. 在1KV的离子能量下, 溅射的中性原子或分子:二次电子: 二次离子=100:10:1. 溅射方法根据特征可分为：直流溅射、射频溅射、磁控溅射和反应溅射。 辉光放电和等离子体 等离子体是一种中性、高能量、离子化的气体，包含中性原子或分子、原子团、带电离子和自由电子。 作用：1、提供发生在衬底表面的气体反应所需要的大 部分能量 ; 2、通过等离子选择性地刻蚀靶材 辉光放电 两电极上加一直流电压或射频电压? 宇宙射线产生的游离离子和电子获得足够能量? 与中性气体分子碰撞产生电离。 受激的原子、或离子返回其最低能级时，以发射光（或声子）的形式将能量释放出来 (颜色的产生)。 A B C D E F G 辉光放电的产生 直流电源E, 提供电压V和电流I则 V = E - IR 初始阶段AB：I=0 无光放电区 汤生放电区BC：I迅速增大 过渡区CD：离子开始轰击阴极，产生二次电子，又与气体分子碰撞产生更多离子 辉光放电区DE：I增大，V恒定 异常辉光放电区EF（溅射所选择的工作区）：弧光放电：I增大，V减小 弧光放电区FG：增加电源功率，电流迅速增加 气体离子 靶材离子 二次电子 溅射沉积装置 直流溅射装置及特性（只适用于靶材为良导体的溅射） 溅射气压1.3-13Pa，太低和太高都不利于薄膜的形成。 阴-阳极距离适中，大约为阴极暗区的2倍 溅射电压1-5KV。 靶材必须为金属。不能溅射介质材料(正离子打到靶材料上产生正电荷积累, 靶表面电位升高,正离子不能继续轰击靶材料, 溅射终止) 为保证薄膜的均匀性，阴极面积大约为衬底的2倍。 结构简单; 可长时间进行溅射;;溅射速率底; 基板表面因受到电子轰击而有较高温度. 直流溅射的特性 射频溅射装置及特性 射频电源的频率13.56MHz 射频溅射电压1-2KV 射频溅射系统需要在电源与放电室间配备阻抗匹配网。 在射频溅射系统中，衬底接地，以避免不希望的射频电压在衬底表面出现。 靶材可以是绝缘体、金属、半导体等。 射频溅射的工作原理 在射频溅射系统中，射频电势加在位于绝缘靶下面的金属电极上，在射频电场作用下，在两电极间振荡运动的电子具有足够高的能量产生离化碰撞，从而使放电达到自持，阴极溅射的二次电子不再重要。 由于电子比离子具有较高的迁移率，相对于负半周期，正半周期内将有更多的电子到达绝缘靶表面，而靶变成负的自偏压。它将在表面附近排斥电子，吸引正离子，使离子轰击靶，产生溅射。 电源与电极间有电容存在，隔绝电荷流通的路径，自发产生负的自偏压的过程与靶材是绝缘体和金属无关。 射频电压周期性地改变每个电极的电位，因而每个电极都可能因自偏压效应而受到离子轰击。实际解决的办法将样品台和真空室接地，形成一个面积很大的电极，降低该极的自偏压鞘层电压。 磁控溅射装置及特性 1直流电源 2出水口 3进水口 4进气口5 靶材 6真空泵 7 基片架 8基片偏压 磁控溅射装置及特性 磁场的作用使电子不再做平行直线运动，而是围绕磁力线做螺旋运动，这就意味着电子的运动路径由于磁场的作用而大幅度地增加，从而有效地提高了气体的离化效率和薄膜的沉积速率。 磁控溅射比直流和射频溅射的沉积速率高很多。原因： 1、磁场中电子的电离效率提高 2、在较低气压下（0.1Pa)溅射原子被散射的几率减小，提高了入射到衬底上的原子的能量，从而提高薄膜的质量。 不能溅射强磁性材料 反应溅射装置及特性 （氮化物、碳化物、氧化物） *