铋掺杂硅化镁材料的制备及热电性能 - ingenta connect.pdfVIP

第39 卷第10 期 张永昌等：取向多壁碳纳米管的制备及其在染料敏化太阳能电池中的应用 · 1603 · 第39 卷第10 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 39 ，No. 10 2 0 1 1 年 1 0 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY October ，2011 铋掺杂硅化镁材料的制备及热电性能 1,2 2 2 2 杨梅君 ，沈 强 ，唐新峰 ，张联盟 (1. 武汉理工大学材料研究与测试中心，武汉 430070 ；2. 武汉理工大学材料，复合新技术国家重点实验室，武汉 430070) 摘 要：采用放电等离子体烧结方法制备不同含量铋(Bi)(0、0.7%、1.0%、1.5%、2.0% ，摩尔分数，下同)掺杂硅化镁(Mg Si)热电材料，对材料进行 2 物相、结构及热电性能分析。结果表明：Bi 在Mg Si 中最佳掺量为1.5%，继续增加会有Mg Bi 杂相生成；随着Bi 掺量的增加，材料电导率σ不断 2 2 3 增加，当Bi 掺量为1.5%时，在520 K ，σ 出现最大值，继续增加Bi 掺量，由于Mg Si 中Bi 已饱和，载流子浓度不再随掺量的增加而变化，且生成的 2 Mg Bi 杂相会对载流子产生一定散射，σ反而下降；Bi 掺杂会显著降低材料Seebeck 系数α，但不同含量Bi 掺杂对α影响不显著；Bi 掺杂使材料热 2 3 导率κ较未掺杂有微弱上升趋势，随Bi 含量增加材料热导率不断降低。Mg Si 热电材料在823 K 、Bi 掺量为1.5%时获得最大热电优值ZT ，为0.67 。 2 关键词：铋掺杂；硅化镁；热电性能；放电等离子体烧结法 中图分类号：TB34 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2011)10–1603–05 网络出版时间：2011–09–27 13:49:21 DOI ：CNKI:11-2310/TQ1349.014 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1349.014.html Preparation of Bismuth-Doped Magnesium Silicide Material and Its Thermoelectric Properties YANG Meijun1,2 2 2 2 ，SHEN Qiang ，TANG Xinfeng ，ZHANG Lianmeng (1. The Center fo