一个经验的gaas hemt大信号模型an empirical - 硬件和射频工程师.pdfVIP

第三部分 微波毫米波有源器件及电路 一个经验的GaAs HEMT大信号模型 吴颜明 孙玲玲 刘军 （杭州电子科技大学微电子CAD所，杭州 310018） 摘要：提出一个经验的GaAs HEMT 大信号等效电路模型，沟道电流及偏置相关的本征电容模型方程高阶连续可导。模型考 虑了自热效应引起的热功率耗散，以及跨导/漏导频率分布效应。测量和仿真的I-V、S参数以及功率特性对比结果表明模型 达到了良好的精度。 关键词：GaAs HEMT；大信号模型；功率 An Empirical GaAs HEMT Large-Signal Model Yan-ming Wu Ling-ling Sun Jun Liu （Microelectronic CAD Center, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018 ，China ） Abstract: An empirical large -signal equivalent circuit model of GaAs HEMT is presented. Both of the equations for channel current and bias-dependence capacitors modeling are continuous and high order derivable. Power dissipation caused by self-heating effect and the frequency distribution of trans-conductor are described. Good accuracy of the model is obtained by comparing the measured and simulated I-V , S-parameters and power characteristics. Key words ：GaAs HEMT, Large-Signal Model, Power. [5] 1 引言 件跨导特性。Curtice模型 采用多项式方程形式构造 饱和电流Idso ，多项式形式的采用使其无法实现对高偏 因GaAs材料具有较高的电子迁移率、饱和漂移速 压下I -V特性的精确拟和，模型对高阶跨导的拟和能力 度以及较宽的禁带宽度等优点，使其在高频、高速、 不足。由Statz等人开发的用于描述直流特性的模型[6] [1] 高温等应用领域占有重要地位 。作为RFIC CAD仿真 方程形式简单，参数少，但它是一个分段函数，高阶 的前提，一个可精确描述晶体管射频大小信号特性的 导数出现不连续，方程中采用指数项形式来描述线性 模型不可或缺。 区V 对I 的影响，无法描述实际器件线性区漏导特 ds ds 目前，商用的高电子迁移率晶体管（HEMT ）经 性。 验模型主要有EEHEMT1 、An