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硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究-上海光机所
第 34卷 第 3期 人 工 晶 体 学 报 Vo l. 34 3
No.
2005年 6月 JOURNAL OF SYN TH ET IC CRYSTAL S June, 2005
硅酸钇晶体的生长 、腐蚀形貌和光谱性能研究
1, 2 1 1, 2 1, 2 1 1
庞辉勇 ,赵广军 , 介明印 , 朱 江 , 何晓明 , 徐 军
( 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所 ,上海 20 1800; 2. 中国科学院研究生院 ,北京 100039)
摘要 :本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的 Y SiO ( YSO ) 晶体 ,经过定向、切割 、抛光后得到样品。经过
2 5
腐蚀后 ,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑 、小角晶界和包裹物等缺
陷;测试了经过氢气 、空气退火前后 ,辐照前后 YSO 晶体的透过谱 ,结果表明: YSO 晶体的吸收边大约在 202nm ,氢
气退火后在 200 ～300nm 波段透过率增加 ,空气退火后透过率显著降低 ; 辐照后 ,氢气退火的样品在 200 ～500nm
波段透过率显著降低 。
关键词 : YSO 晶体 ;辐照 ;光谱 ;位错蚀坑 ;小角晶界
中图分类号 : O782 文献标识码 : A 文章编号 : 1000985X (2005) 03042 104
Study on the Grow th, E tch M orphology and Spectra Property of Y SO Cry sta ls
1, 2 1 1, 2 1, 2 1 1
PAN G H u iy ong , ZHA O Guang j un , J IE M ing y in , ZHU J iang , HE X iaom ing , X U J un
( 1. Shanghai In stitu te of Op tic s and F ine M echan ic s, Ch inese A cademy of Sciences, Shanghai 201800 , Ch ina;
2. Graduate School of the Ch inese A cademy of Sciences, B eij ing 100039 , Ch ina)
(R eceived 1 N
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