第二章 双极型逻辑集成电路.ppt

第二章 双极型逻辑集成电路 电流控制源 学习要求 掌握集成晶体管和分立式晶体管的区别？ 集成晶体管中的寄生效应 隔离工艺 晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路 发射极耦合逻辑（ECL）电路 思考题 复习 二极管的工作特性 PN结的形成 正向偏置的PN结 反向特性 PN结的特性 双极型晶体管 三极管结构模型 载流子输运过程示意图 反向工作状态 晶体管的输入特性 与 p-n 结的正向特性相似 共发射极 当VCE增加时，由于基区宽度减小，注入到基区中的少数载流子的复合减少，故IB减少 共基极 在同样的VBE下，VCE越大，IE越大 三极管伏安特性 三极管工作状态总结 晶体管处于放大区的三个必要条件 发射结正偏，结电阻很小，即输入电阻很小 集电结反偏，结电阻很大，即输出电阻很大 有一定的放大倍数（1~3），βF=IC/IB 集成晶体管逻辑电路发展状况 从直接耦合晶体管逻辑（DCTL）、RTL、DTL 广泛应用饱和型逻辑集成电路：TTL STTL和LSTTL以及ASTTL和ALSTTL 继承注入逻辑（I2L） 发射极耦合（ECL）电路—非饱和逻辑集成电路 2.1 双极型逻辑集成电路中的寄生效应 2.1.1集成晶体管与分立晶体管的区别 2.1.2理想本征集成双极型晶体管 埃伯斯-莫尔（EM）模型（1954年Ebers和Moll提出来） 电流电压关系： αF、αR分别是NPN管正、反向运用时的共基极短路电流增益 αSF、αSR分别是PNP管正、反向运用时的共基极短路电流增益 Vt=KT/q（等效热电压）波尔兹曼常数、绝对温度、电子电荷量 EM模型参数说明 参数αF、αR 、 αSF 、 αSR由杂质浓度、结深和工艺参数决定 Vt是由两个物理常数和温度的函数决定，属于环境变量。室温下，Vt≈26mV IES、ICS、ISS分别表示基-射饱和泄漏电流、基-集饱和泄漏电流和传输饱和电流 （1）集成双极晶体管的有源寄生效应 简化EM模型： PN结正偏工作时，VF0，（eVF/Vt-1）≈eVF/Vt PN界反偏时，VR0，（eVR/Vt-1）≈-1 在电流叠加时只计算eVF/Vt项，可以忽略反偏电流，当全部结都反偏时，只考虑ISS项 VSC总是小于零，所以ISS（eVSC/Vt-1） ≈- ISS ≈0 下面利用以上的简化模型分析集成NPN管的工作状况 NPN正向工作区和截止区的情况 NPN反向工作区的情况 采用掺金工艺和掩埋工艺 增加大量的复合中心 增大寄生晶体管的基区宽度 提高了寄生晶体管的基区浓度 饱和区的情况 接着上面公式推导 得到结论： 减小αSF： 增大VBE-VBC： 采用肖特基二极管（SBD）对BC结进行箝位，使VBC下降为0.5伏左右 对于反向工作区和饱和区缺陷工艺上采用掩埋和掺金方法解决 N+掩埋层（2000浙江大学考研题） 为了减少寄生PNP管的影响，增加有用电流的比值。采用掺金工艺和增加掩埋工艺。 在逻辑集成电路中，NPN管经常处在饱和区或反向运用工作状态，所以对逻辑集成电路来说，减少寄生PNP管的影响就显得特别重要。在NPN管集电区下设置n+阴埋层可以增大寄生PNP管的基区宽度和杂质浓度，使寄生PNP管共基极短路电流增益大大下降 减小集电极电阻 形成基区减速场 （2）集成双极晶体管的无源寄生效应 实际的集成晶体管中还存在着电荷储存效应和从晶体管有效基区到晶体管个引出端之间的欧姆体电阻。它们对晶体管的工作产生影响，称为无源寄生效应。 寄生电阻：res、rcs、rb和寄生电容CJ、CD： 集成双极晶体管电路中的寄生电阻大于分立器件 集成双极晶体管电路中的寄生电容大于MOS器件 发射极串联电阻res 发射极串联电阻由发射极金属和硅的接触电阻与发射区的体电阻 res= re,m + re,b re,m = RC/SE RC：硅与发射极金属的欧姆接触系数（可查表） SE：发射极接触孔的面积 在小电流的情况下，通常可以忽略 集电极串联电阻 rCS=rC1+rC2+rC3 rCS是一个被隔离区势垒电容旁路的分布电阻 在大信号工作情况下发生发射极电流的集边效应，使电流不是均匀地流过集电结，即rCS与IC有关 由于VBC变化所引起的耗尽层宽度的变化，也会使rCS 发生变化 比分立器件的集电极串联电阻大得多 此电阻对逻辑IC的输出低电平有较大的影响 集电极串联电阻 rC1的计算 假设条件： 下底、上底各为等位面 电流只在垂直方向上流动 在上、下面上的电流分布是均匀的 求得， T=外延层厚度-集电结结深-集电结耗尽区在外延层一侧的宽度-埋层的上向扩散距离-各次氧化所消耗外延层厚度 深饱和、大注入时，由于基区的电导调制效应，使其下降，可以忽略 集电极串联电阻 rC2的计算 从发射区接触孔中心到集电极接触孔中心的这端掩埋层构成