微电子技术（周雪峰）3 薄膜淀积-zxf.pptVIP

B/A主要与化学反应速率常数?有关，说明氧化初期氧化物的生长主要由化学反应过程决定。此时，由于氧化层厚度较薄，氧化剂的扩散速率大于其与Si的反应速率。此时，由于氧化层厚度较薄，氧化剂的扩散速率大于其与Si的反应速率。 * 对于薄氧化膜，如MOSFET的栅极氧化膜（低于20nm），常用干氧氧化。 氧化速率较高，干氧氧化的5-10倍 * 根据生长速率公式，由于水比氧在SiO2中具有更高的扩散系数和大的多的溶解度。111面高于100面 * 防止Na离子和水气的扩散 热氧化和CVD制备SiO2区别？ 不同二氧化硅沉积工艺是满足金属薄膜表面沉积的低温要求以及台阶覆盖性要求。 常压化学气相淀积(APCVD)。低压化学气相淀积LPCVD。PECVD 等离子体增强化学气相沉积法 * Al熔点为660.4 ℃；P掺杂的原因—改善低温沉积的台阶覆盖性.不用Si，用硅烷作为硅源 * 常温下为液态。液态源蒸气在载气（通常为N2 ）输运下进入反应室，热分解为二氧化硅和有机物等副产物。C原子的残余会引起元素污染，也常会形成多孔薄膜 * 介电强度是一种材料作为绝缘体时的电强度的量度。 它定义为试样被击穿时， 单位厚度承受的最大电压 * 影响器件尺寸精度 * 原理？ 目的？高温下的流动性较好，广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜 。磷含量控制在6% ~ 8% 小于6%, 回流效果不够 大于8%, 氧化膜中