窄线宽半导体激光器件论文.pdfVIP

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2017-07-11 发布于广东
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窄线宽半导体激光器件论文.pdf

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二oo六年全国光电技术学术交流蝴论文集(F) 窄线宽半导体激光器件罗毅，黄缙，孙长征 (清华大学电子工程系，集成光电子学国家重点实验室，北京100084) 于1982年提出的半导体激光器的线宽理论，通过适当设计分布反馈半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子，能有效地减小激光器的线宽．同时，空间烧孔现象也是限制DFB半导体激光器线宽的重要因素，为此需要合理设计光栅结构．在此基础上，DFB激光器的线宽能达到几十kHz的量级．此外，采用 DBR结构、外腔结构或者光纤激光器，也可以获得相当窄的线宽．关键词：窄线宽；DFB激光器；DBR激光器；外腔激光器；光纤激光器中圈分类号：TN248．4文献标识码：A lT -■ ●1■■ ● 1 』 ■ 1● 1 1ineWldm IaSer 州arr0W SemlCOndUCtOrdlOneS LUO Yi，HUANGJin，SUN Chang—zheng 100084．China) Abstract：Thelinewidthofdistributed lasersis toowidetomeetthe feedback(DFB)semiconductorusually of tothelinewidthofsemiconductorlasers C．H． requirementfiber-opticsensing．According theory proposedby in linewidthCallbeobtainedwith of ofaDFB 1982，reduced as Henry properdesignkeyparameters laser,such and confinement coefficient，differential cavitylength，coupling gain optical isalsodetrimentalto caremustbe to tO nalTow structure achieve linewidth—narrowing，andspecial paidgrating design theaboveissuesinto semiconductorlaserswithalinewidthof10-kHzhave taking consideration，DFB linewidth．By beendemonstrated．In linewidthcanbealsorealized DBR addition，ultra-narrow byadopting orfiber structurelasers．． cavity words：Narrow