纳米晶粒受控生长抑制PZNT铁电薄膜中异相形成论文.pdfVIP

2∞‘第五届中嗣(111嚣)掳米科技西安研讨会论文集 纳米晶粒受控生长抑制PZNT铁电薄膜中异相形成 万尤宝”， 张建新2，袁国样2，杨培志3，杨辉1 (1浙江大学材料与化工学院，浙江杭州300200) (2嘉兴学院先进材料研究所，浙江嘉兴314001) (3云南昆明物理研究所，云南昆明650223) 三维生长变为二维生长，显著改善了外延膜的质量，获得了完整的PZNT膜。务-*tT种底取向对紧邻层纳米尺寸范围 的晶拉彤成，薄膜晶粒的发育，克服薄膜中异相形成等的影响，总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件． 关键词i铁电薄膜；晶粒：种膜；渣相外延 0 引言 2000年1月也报道了这类材料的研究进展【2】。美国海军认为这将给海军水中装备，如声纳等的性能带来革命性变化。 PZNT有低的热膨胀系数、大的电光系数、突出的电致伸缩系数和弥散相变，表现出特别优异的压电性能，压电系数 d，32000pc艏，是现有压电材料中最高的，其机电耦合系数高达舛％，也就是说，用这种材料制作的换能器理论上 可以实现94％的机械能与电能的转换，轴向机电耦合系数p哂∞0，这些性能均远远高于目前使用的性能优良的PZT 阵列型医用超声换能器如B超，将大大提高这些医疗诊断设各的灵敏度、分辨率和带宽[7l【”。PZNT在微电子和光电 电传感器、红外探测器、波导电光装置及军事和医疗仪器设备等方面也有重要应用，是极具有产业化前景的材料之一。 晶体组成复杂，晶体中成分不均匀性及几乎不可避免地出现的焦绿石等异相包裹物是影响其性能的重要原因，严重阻 碍了其产业化。二维形式的PZNT膜工作电压低，易与半导体电路相结台，有利于器件的小型化。本文报道了我们采 些膜中在纳米尺寸的晶粒形成、发育特征及对薄膜结构和性能的巨大影响，用剩余价键理论分析了产生这些特征的衬 底方面的原因，探讨了生长完整PZNT膜的衬底条件。 l 实验过程 ·146· 矽雌触 2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会论文集 PIⅥee曲攀of54 配料。将配好的粉料放入玛瑙罐，经过gh球磨后，放入到铂金坩蜗，在900。C保温4h进行烧结。然后将烧结块研磨成 粉，并按照摩尔比为1：1加入PbO作助溶剂．混合均匀后，制成直径为20mm大小的压片。最后将压片放入铂金坩埚 温至熔点，垂直把籽晶片以2mm／s速度浸入高温熔体中约15s进行液相外延生长，生长完成后，将其提拉出液面以上 10mm，快速旋转提拉杆尽量甩掉附着在其表面上的熔体。生长使用的村底籽晶全部经过光学抛光，所有衬底表面的 表面粗糙度均小于loA，平整度小于15”．并经过15min在无水乙醇中超声清洗后，用电导水仔细清洗。 用OLYMPUSBXSOM光学显微镜观察了外延生长形貌，研究了膜的微观形貌。 2结果和讨论 有大量立方型的PZNT晶粒外，有一定量里六方结构的晶粒，这种异相晶粒是焦绿石，焦绿石属于六方晶系，常出现 系中，焦绿石是热力学稳定相，PZNT钙钛矿相是亚稳相的结论相一致”】。这些晶粒杂乱分布在衬底表面上，投有规 十几微米。晶粒呈孤岛状，没有连接成片，在晶粒之间大量的孔隙由非晶相物质填充。说明晶粒成核为自发成核，膜 可以观察到一些晶粒接台的情况，但总体上来说，这些晶粒还是孤立的，成岛状分布，在晶粒之间是非晶相，几乎没 见焦绿石异相，随着层的厚度增加，晶粒生长定向趋向性减弱。 图1PZNT生长在(001)LaAl0，村底上光学显微形貌困2PZNT生长在(001)M90村底上光学显微形貌 根据上面四种衬底上生长的PZNT膜形貌观察我们可阻得到这些结论：①在LaAIOj树底上生长的膜中除了有立方 照岛状生长机制生长，但是生长的晶粒部分成规则分布．其中(110)晶面衬底上获得的PZNT晶粒只有少量呈定向分 底有外延关系，属于晶粒发育初期的成核过程，为异质成核，成核晶种来自于衬底，衬底晶面原子的有序排列使产生 圃嫩熟 ·147· 2006第五届中国(国际)蚋米科技西安研讨奢论文集 Proceedings