用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布.pdfVIP

第27卷第3期 硅 酸 盐 通 报 V01．27 No．3 2008年6月 BUTJ．k~IN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY June，2008 用偏振差分透射谱技术测量半导体 晶体片应力分布 周振宇，陈涌海 (中国科学院半导体研究所，北京 100083) 摘要：利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAa晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布，通过弹 光效应换算得到了晶片内部残余应力分布。测量得到的应力反映的是晶片各个点的[I10]和[I10]方向的应变差。 实验测量得到的C,8A$晶片和自支撑GaN衬底的[110]和[110]的应变差最大可以达到10 数量级。蓝宝石衬底 的可以达到l0 数量级。因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测。 关键词：偏振差分透射谱；各向异性；内应力 中图分类号：O471．1 文献标识码：A 文章编号：1001．1625(2oo8)03-O580-04 Research of the inner strain distribution in semiconductor wafers by Transmitted Differential Spectroscopy ZHOU Zhen-yu，CHEN y0 一hai (The Institute ofSemiconductors，Chinese Academy of Sciences，Beijing 10083，China) Abstract：The aniaotropic strain distribution in semi—transparent GaAs，GaN and sapphire wafers Wele studied by Transmitted Differential Spectroscopy(TDS)．The strain difference between[110]and[110] directions at every position of the wafers can be quantitatively obtained in room temperature．The maximum strain difference between[110]and[110]of the GaAs and the free—standing GaIN wafers attains to the order of 10～，the sapphire wafer~attains to the order of 10-6 ． So the aniaotropic strain of transparent and semi—transparent wafem CSJI be detected by TDS in real time， t}I high speed，high sensitivity and without damage． Key words：TDS；anisotropy；inner—strain l 引 言 III—V族化合物以及蓝宝石晶片在低维半导体结构(量子井，量子线，量子点，超晶格)和相关器件制备加 工过程中，被广泛的应用为衬底材料。衬底材料的内部应力分布对相应的器件和结构的性质有着重要的影 响。大量的生长和加工工艺都集中在如何消除或者控制衬底内部的应力。衬底的内部应力取决于诸多复杂 的因素，诸如加热，退火，切割，提拉，以及生长过程中的各种力学因素。所以，非常有必要建立一种高灵敏度 并且无损的方法来对衬底的应力分布进行