网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

模拟电子电路仿真.PDF

  1. 1、本文档共28页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
模拟电子电路仿真

模拟电子电路仿真 1.1 晶体管基本放大电路 共射极,共集电极和共基极三种组态的基本放大电路是模拟电子技术的基础,通过 EWB 对其进行仿真分析,进一步熟悉三种电路在静态工作点,电压放大倍数,频率特性以及输入, 输出电阻等方面各自的不同特点。 1.1.1 共射极基本放大电路 按图 7.1-1 搭建共射极基本放大电路,选择电路菜单电路图选项(Circuit/Schematic Option ) 中 的 显 示/ 隐 藏 (Show/Hide) 按 钮 , 设 置 并 显 示 元 件 的 标 号 与 数 值 等 。 1. 静态工作点分析 选择分析菜单中的直流工作点分析选项(Analysis/DC Operating Point )(当然,也可以 使用仪器库中的数字多用表直接测量)分析结果表明晶体管Q1工作在放大状态。 2. 动态分析 用仪器库的函数发生器为电路提供正弦输入信号 Vi(幅值为 5mV,频率为 10kH),用示波 器观察到输入,输出波形。由波形图可观察到电路的输入,输出电压信号反相位关系。再一 种直接测量电压放大倍数的简便方法是用仪器库中的数字多用表直接测得。 3. 参数扫描分析 在图7. 1-1所示的共射极基本放大电路中,偏置电阻R1的阻值大小直接决定了静 态电流IC的大小,保持输入信号不变,改变R1的阻值,可以观察到输出电压波形的失真 情况。选择分析菜单中的参数扫描选项(Analysis/Parameter Sweep Analysis ),在参数扫描设 置对话框中将扫描元件设为R1,参数为电阻,扫描起始值为100K,终值为900K, 扫描方式为线性,步长增量为400K,输出节点5,扫描用于暂态分析。 4. 频率响应分析 选择分析菜单中的交流频率分析项(Analysis/AC Frequency Analysis )在交流频率分析 参数设置对话框中设定:扫描起始频率为1Hz ,终止频率为1GHz ,扫描形式为十进制, 纵向刻度为线性,节点5做输出节点。 由图分析可得:当共射极基本放大电路输入信号电压VI为幅值5mV 的变频电压时, 电路输出中频电压幅值约为0. 5V,中频电压放大倍数约为-100倍,下限频率(X1) 为14. 22Hz ,上限频率(X2)为25. 12MHz ,放大器的通频带约为25. 12MHz 。 由理论分析可得,上述共射极基本放大电路的输入电阻由晶体管的输入电阻rbe 限定, 输出电阻由集电极电阻R3限定。 1. 1. 2 共集电极基本放大电路(射极输出器) 图7. 1-7为一共集电极基本放大电路,用仪器库的函数发生器为电路提供正弦输入信号 VI(幅值为1V,频率为 10 kHz)采用与共射极基本放大电路相同的分析方法获得电路 的静态工作点分析结果。用示波器测得电路的输出,输入电压波形,选用交流频率分析项分 析 出 电 路 的 频 率 响 应 曲 线 及 相 关 参 数 。 由图所示共集电极基本放大电路的频率响应曲线可求得:电路的上限频率(X2)为 4. 50GHz,下限频率(X1)为2. 73Hz ,通频带约为4. 50GHz 。 1. 1. 3 共基极基本放大电路 图7. 1-11为一共基极基本放大电路,用仪器库的函数发生器为电路提供正弦输 入信号 Vi(幅值为 5mV,频率为 10kHz),采用与共射极基本放大电路相同的分析方法获得电 路的静态工作点分析结果。用示波器测得电路的输出,输入电压波形,选用交流频率分析项 分 析 出 电 路 的 频 率 响 应 曲 线 及 相 关 参 数 。 由图所示共基极基本放大电路的频率响应曲线可求得:电路的上限频率(X2)为2 7. 94MHz ,下限频率(X1)为261. 01Hz ,通频带约为27. 94MHz 。 1.2 场效应管基本放大电路 1.2.1 共源极放大电路 共源极放大电路如图 7.2-1 所示,Q1 选用三端式增强型 N 沟道绝缘栅场效应管。按图 7.2-1 在 EWB 主界面内搭建电路后,双击 Q1,出现三端式增强型N-MOSFET 参数设置对话 框

文档评论(0)

youbika + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档