横向多晶硅p＋P—n＋结非致冷红外焦平面.PDF

维普资讯 SEM ICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vo1．26Supplement March2005 横向多晶硅 p+P—n+结非致冷红外焦平面 陈二柱，唐成伟，江美玲，梁平治 (中国科学院上海技术物理研究所 。上海 200083) 摘 要 ： 应用标准 CMOS工艺，同时结合体硅微机械加工技 术，研制成功横 向多晶硅 P P—n 微测辐射热计单元；基于研制成功的微测辐射热计 ，设计 了规模为 128×128面阵的非致 冷红外焦平面。采用标准 CMOS工艺制作横 向多晶硅 P P n 结热敏响应元和读 出电路；在 CMOS工艺完成后，辅 以与CMOS工艺兼容的体硅微机械加工工艺，制备微桥形式的热绝缘结构， 从而方便地实现了CMOS读出电路与探测器阵列的单片集成。在 3～5 m红外波段，微测辐射热 计的电压响应率为 5．7×10V／W，黑体探测率D 为 1．2×10 cm ·HZ ·W 。焦平面采用行 读出模式的结构，信号读出采用栅调制积分电路，输 出级采用外接负载电阻的源极跟随电路，将探 测器单元产生的信号按顺序串行单端输出。 关键词： 多晶硅 PPn 结；非致冷红外焦平面；读出电路；CMOS工艺 中图分类号：TN386．5 文献标识码 ：A 文章编号：1001—5868(2005)S一0012—04 UncooledInfraredFocalPlaneArrayswithLateralPolysiliconP+P—n+Junction CHENEr—zhu，TANG Cheng—wei，JIANG Mei—ling，LIANGPing—zhi (ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics。ChineseAcademyofSciences，Shanghai200083。CHN) Abstract： By using standard CMOS processesand bulk micromaching technology，a uncooledinfraredmicrobolometerdetectorwasdevelopedbasedonthetemperaturecharacterof thelateralpolysiliconp p n junction，andthe128×128uncooledinfraredfocalplanearrays wasdesigned．Thelateralpolysiliconp P—n junctionandreadoutcircuitsarefabricatedbased onthestandardCMOSprocesses．AfterfinishedtheCMOSprocess，torealizethemonolithic integrationofCMOSreadoutcircuitswithdetectorarrays，thethermallyinsulatedmicrobridge structurecouldbeformedbyfront—endetchingofthesubstrateusingTMAH solutioncompatible withCMOSprocess．Theresponsivityanddetectivity(D )ofthemicrobolometerare5．7×10。 V／W and1．2×10。cm ·Hz。W in3～5“m IRwavelengthregion，respectively．Thecolumn— wisereadoutarchitectureandgatemodulationintegratorwereapplied inthedesignofthe128× 128microbolometerarrays．Thesignalsgeneratedfrom microbolometersareoutputted serially with sourcef