氧化锌作为电子传输层的量子点发光二极管-发光学报.PDF

第３８卷　 第４期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ４ ２０１７年４月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｐｒ. ꎬ２０１７ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０４￣０５０７￣０７ 氧化锌作为电子传输层的量子点发光二极管 １ １ꎬ２ ∗ ２ ２ 马　 航 ꎬ李邓化 ꎬ 陈雯柏 ꎬ叶继兴 (１. 北京交通大学 电子信息工程学院ꎬ北京　 １０００４４ꎻ　 ２. 北京信息科技大学 自动化学院ꎬ北京　 １００１０１) 摘要:为降低量子点发光二极管(ＱＬＥＤ)的开启电压ꎬ提高器件性能ꎬ利用电子传输性能良好的氧化锌 (ＺｎＯ)作为电子传输层ꎬ制备了结构为ＩＴＯ/ ＰＥＤＯＴ∶ＰＳＳ/ ｐｏｌｙ￣ＴＰＤ/ ＱＤｓ/ ＺｎＯ/ Ａｌ 的ＱＬＥＤ样品ꎮ在该器件结构 基础上ꎬ采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真分析了载流子在量子点(ＱＤｓ)层的电流密度ꎮ 研究发 现ꎬ当ＺｎＯ厚度为５０ ｎｍ时ꎬｐｏｌｙ￣ＴＰＤ的理论最优厚度为４０ ｎｍꎬ载流子在ＱＤｓ层的注入达到相对平衡ꎮ 通过 测试器件的电流密度￣电压￣亮度￣发光效率特性ꎬ研究了空穴传输层厚度对ＱＬＥＤ器件性能的影响ꎮ 实验结果 表明ꎬ当空穴传输层厚度为４０ ｎｍ时ꎬ器件的开启电压为１.７ Ｖꎬ最大发光效率为１.１８ ｃｄ/ Ａꎮ 在９ Ｖ 电压下ꎬ ２ 器件最大亮度达到５ ２２５ ｃｄ/ ｍ ꎬ远优于其他厚度的器件ꎮ 实验结果与仿真结果基本吻合ꎮ 关　 键　 词:量子点发光二极管ꎻ隧穿注入ꎻ空间电荷限制电流ꎻ电流密度ꎻ亮度ꎻ电流效率 ＋ 中图分类号:ＴＮ３８３ .１　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０５０７ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ＺｎＯ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ １∗ １ꎬ２∗ ２ ２ ＭＡ Ｈａｎｇ ꎬＬＩ Ｄｅｎｇ￣ｈｕａ ꎬＣＨＥＮ Ｗｅｎ￣ｂａｉ ꎬＹＥ Ｊｉ￣ｘｉｎｇ (１. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＆Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＢｅｉｊｉｎｇ Ｊｉａｏｔｏｎｇ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＢｅｉｊｉｎｇ １０００４４ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ ＡｕｔｏｍａｔｉｏｎꎬＢｅｉｊｉｎｇ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＢｅｉｊｉｎｇ １００１０１ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｌｄｈ＠ｂｉｓｔｕ.ｅｄｕ.ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ｔｕｒｎ ｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ ａｎｄ ｉｍｐｒｏｖｅ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＱＬＥＤꎬＺｎＯ ｆｉｌｍ ｗｉｔｈ ｇｏｏｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｗａｓ ｕｓｅｄ ａｓ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ. Ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅ ｗａｓ ＩＴＯ/ ＰＥＤＯＴ∶ＰＳＳ/ Ｐｏｌｙ￣ＴＰＤ/ ＱＤｓ/ ＺｎＯ. Ｔｈｅ ｍｏｄｅｌｓ ｏｆ Ｆｏｌｗｅｒ￣Ｎｏｒｄｈｅｉｍ ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｉｎ￣ ｊｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｓｐａｃｅ￣ｃｈ