电晶体的特性(cont).PPT

電晶體及共射極放大電路 類比電子實驗 單元四 Online 電晶體 用三用電表量測電晶體的? 值 共射極放大電路 圖解法分析共射極放大電路 電晶體的結構(p.105) 兩塊P型之間夾一片很薄的N型,兩塊N型之間夾一片很薄的P型 電晶體的特性(p.106) E-B之間加上順向電壓(VBE),PN接間導通,產生順向電流,且IE=IB . B-C之間加上逆向電壓(VBC),PN接間不導通,IB= IC= 0 . 電晶體的特性(cont.) IE=IB+ IC 且IE ? IC ? IB ,由射極流入的電流幾乎由集極流出,基極電流只是很小的一部分. 電晶體的特性(cont.) IE=IB+ IC 且IE ? IC ? IB ,由集極流入的電流幾乎由射極流出,基極電流只是很小的一部分. 電晶體的? 值(p.107) 由於 IB ? IC ,控制IB可控制IC ,電晶體具有放大作用,電晶體的電流放大率以? 或hFE表示,定義為 一般電晶體的? 約為10~300左右. 電晶體的電路符號(p.107) 實際應用電路圖 電晶體的電路符號(cont.) 電晶體的電路符號(cont.) 電晶體的V-I特性曲線(p.109) VBE-IB及VCE-IC特性曲線 以三用電表判斷電晶體之E、B、C(p.115) NPN與PNP,黑紅棒位置相反 以三用電表量測電晶體之? 值(p.115) 將三用表置於hFE, 並作0?歸零 C9014 NPN電晶體的? 值約220 以三用電表量測電晶體之? 值(cont.) C9012 PNP電晶體的? 值約160 共射極放大電路(p.121) VBB , VCC , RB , RL 給予電晶體適當的偏壓 CC 為交連電容或耦合電容,阻隔輸入信號的直流成分流入基極,以免影響電晶體的偏壓 三種工作情形(p.123) 當Vin=0 , Iin=0時, VCE=VCC?ICRL, VCE介於VCC與0之間 三種工作情形(cont.) 當Vin=15mV , Iin=10?A時(正半週峰值) 三種工作情形(cont.) 當Vin= ?15mV , Iin= ?10?A時(負半週峰值) 圖解法分析(p.124) 直流負載線表示一個電路的輸出電流與輸出電壓的關係 圖解法分析(cont.) 合併電晶體VCE-IC特性曲線及負載線 工作點對放大電路的影響(p.127) 工作點對放大電路的影響(cont.) 工作點偏低,造成失真,波峰被削平 工作點對放大電路的影響(cont.) 工作點偏高,造成失真,波峰被削平 工作點對放大電路的影響(cont.) 輸入信號過大,造成失真,兩端波峰被削平 實習(p.129) VR控制偏壓IB的大小,VR? IB ?,VR ? IB? 實習(cont.) 實習(cont.) 實習(cont.) 當偏壓VCE=1/2VCC,則工作點在正中央,使輸出的Vp-p值最大(不變形) 不過輸入超出範圍,則兩端波峰削平 VCE * * 教材投影片放在 52/member/phd/9203003d.html 射極(E) 基極(B) 集極(C) PNP電晶體 射極(E) 集極(C) 基極(B) NPN電晶體 順向偏壓 逆向偏壓 逆向偏壓 順向偏壓 NPN PNP B C E B C E 工作區 飽和區 C9014 hFE C9014 E B C 24k? hFE C9012 24k? C9012 E B C 等效電路 輸出 輸入 Vin=0 Iin=0 Vin=15mV Iin=10?A Vin= ?15mV Iin= ?10?A 極性相反 振幅放大 Vin(mV) VCE(V) IC(mA) 工作點(當IB=20?A時候) 工作點偏高 工作點偏低 工作點在中間 VCE 當偏低IB?,則工作點Q徧低,使輸出波形正週波波峰削平 當偏低IB?,則工作點Q徧高,使輸出波形負週波波峰削平 VCE *