硅低温双极型晶体管电流增益的分析-东南大学学报.PDF

二 大 ‘ 第 卷第 期 东 南 学 学 报 ! ! ! 年 月 晶 硅低温双极型 体管电流增益的 析 分 同 拄 冯耀兰 魏 立 电子 中心 微 两 面 了 电 , 了 摘 从理 和实 方 研究 硅 晶体管 流增益的低温特性 建立 要 论 验 电 , 电 , 流增益的温度模型 闲明 了 流增益低温下降的机理 在此基础上 讨 探 了 , 获得具有 良好 电性能的硅低温晶体管的方法 结论如下 电流增益 由发 , , 而 , 射 效率决定时 具有正温度 系数 且随温度下降 下 降 下 降程度随工作 小而 强 区 以 小 , 电流的减 发针 用轻 术 减 带变 量 虑载 增 米 掺杂技 禁 窄 并考 流子冻析效应, 可获得适于 温工作的硅双极 晶体管 低 , , 关 词 硅 晶体管 低温 屯流增益 趁 随 的 和 的 , 生和二级 应 尺 限 一 着 集成度 提高 器件尺寸 缩小 寄 效 会将器件 寸 制在 定 的 平, 一 和