电力电子器件知识讲座（十三） MOSFET及IGBT栅级专用驱动电路（二）.pdfVIP

知识讲座 。 _ doi：lO．3969~issn。1563—4795。201204l《5 警 【编者按】电力电子器件是半导体功率器件的总称 ，是构成 电力电子设备的基础 ，是从事 电力电子 一 器件设计、研发、生产 、营销和应用人员以及 电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份 开始 以 “电力 电子 器件知识”为题开展讲座 ，以满足 广大读者增长知识和用好这些器件的需求。 欢迎厂家及用户的工程师们撰稿 ，并望提 出宝贵意见。 咆 咆 画静细 国癣 (十三) MOSFET及 IGBT栅 级 44--用 驱 动 电路 (二) 乔恩明 薛玉均 刘 敏 (供稿) 本刊编辑部 张乃 国 (改编) (上接第3期第59页) 3 IGBT栅极驱动 电路 的抗干扰措施 路 。 f4)同一驱动信号驱动多个并联开关器件时， 栅极驱动 电路 的合理布局是很重要 的 减少 每个器件都应有各 自的栅极串联 电阻尼：进行隔离 ， 噪声 ，提高可靠性 ，提高抗干扰能力 ，在合理布 并靠近各 自器件 的栅极 。多管并联在使用小功率 局中都能得到体现。 开关器件 ，以获得大功率输出时是经常使用 的方 (1)驱动 电路的连线尽可能短 ，一般推荐小于 法 。 500mm，而且还需采用双绞线 ，绞线密度最好在每 f51驱动 电路 的输 出信号波形上升沿 、下降 lOmm长度绞两次 ，另外 ，还需正确放置驱动 电路 沿 ，即上升时间、下降时间要短 ，平顶降落要小。 板或屏蔽驱动电路 ，以防止驱动 电路 ，控制板与 尤其在使用脉冲变压器隔离驱动 时 ，要求绕制工 主电路 的相互干扰 。 艺上采用一二次侧并绕 、分段绕制 ，以减少漏感 (2)在开关器件 的栅极与源极 (G、S)间直接 和分布 电容对驱动波形前后沿 的影 响，避免形成 并联双 向稳压管或瞬态 电压抑制器TVS，并建议钳 振荡。同时脉冲变压器 的磁芯要选用高磁导率的 位 阈值 电压选定在16～18V，防止驱动信号或du／dt 材料 。在规定 的匝数 时尽量获得较大 的磁化电感 产生的过压 、异常振荡 ，导致栅极与源极间击穿。 ， 以减小平顶降落 。 图7给出了几种简单抗干扰电路 ，布线尽量靠 f61每个器件 的触发 电路元件在 印制线路板上 栅极 ，实用有效 。 应集 中在一狭 区，避免相互交叉 。不 同相位两组 f3)在开关器件的栅极与源极之间靠近并联一 的驱动电路要远离 。驱动 电路输 出的触发信号在 阻值约为10kQ的电阻，以避免在驱动信号没加入 印制线路板 的布局时 ，最好直接连接到开关器件 而栅极开路时 ，加上主回路 电压造成器件损坏 。 fMOSFET或IGBT)的栅极，如需引线，要尽量短并 同时该 电阻在器件关断时可作为 电荷泄放辅助 回 两线绞合再至控制栅极 。驱动电路的印制线路板 尽量远离滤波 电感 、高频变压器等强电磁干扰元 收稿 日期 ：2012—03—10