基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析.pdfVIP

第 16卷 第 4期 光学 精密工程 Vo1．16 No．4 2008年4月 Optics and PrecisionEngineering Apr．2008 文章编号 1004—924X(2008)04—0636—06 ， 基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析 王家畴 ，荣伟彬 ，李昕欣 ，孙立宁 (1．哈尔滨工业大学机器人研究所，黑龙江哈尔滨150001； 2．中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室，上海200050) 摘要：针对纳米定位平台的构型和定位精度问题，采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能 的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺，并对关键工艺进行了分析，总结了导致器件失效的 主要原因，探讨了减少失效的方法。同时，提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀 (DRIE)工艺参数的调整，成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口，释放了最小线宽为2．5 m，厚度为 50 m的 梳齿结构。 关 键 词：体硅工艺；深度反应离子刻蚀；背片技术；面内侧面压阻；纳米级定位平台 中图分类号：TN305 文献标识码：A Fabrication process analysis for nano‘‘positioning stage based on silicon bulk micromachining WANG Jia—thou ，RONG Wei—bin ，LI Xin—xin ，SUN Li—ning (1．Robotics Institute，Harbin Institute of Technology，Harbin 150001，China； 2．State Key Laboratory of Transducer Technology，Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology，Chinese Academy of Sciences，Shanghai 200050，China) Abstract：In order to realize the miniaturized nano—positioning stage，a novel 2-DOF Single Crystal Sil— icon(SCS)nano—positioning micro ．y stage with the function of displacement detection was success— fully developed using silicon bulk machining．The fabrication process of the nano—positioning stage with high aspect ratio and big dimension was presented．The effects of Deep Reactive Ion Etching (DRIE)and the backside protecting under the etching silicon on the structure were analyzed．Some factors causing nano—position stage failure were identified，and several advices were provided for avoi— ding these failures．Moreover，an effective fabricating technique was proposed to fabricate a vertical sidewalI piezoresistor in plane in this nano—positioning stage．By adj usting DRIE parameters，a back— side window