器件电学特性的影响！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 I %$$’ ， ， ， LA/ 6I *A 6 UF/? %$$’ （ ） #$$$=9%’$0%$$’0I $ 0+’%I=$; .K4. P1RSTK. ST*TK. %$$’ K@, 6 P@?5 6 SAG 6 高温!# 插入层对!$%# $%# 异质结材料和’()*+ 器件电学特性的影响! ! 倪金玉 郝 跃 张进成 段焕涛 张金风 （西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 #$$#） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$ ## ## %$$ #% ’ 研究了在 缓冲层中插入 厚高温 层的 外延层和 异质结材料， 插入层可以增 ()* +$ ,- ./* ()* ./()*0 ()* ./* 加 层的面内压应力并提高 高电子迁移率晶体管（ ）的电学特性 在精确测量布拉格衍射角的 ()* ./()*0 ()* 12345 6 基础上定量计算了压应力的大小6 增加的压应力一方面通过增强()* 层的压电极化电场，提高了./()*0 ()* 异质 结二维电子气（ ）面密度，另一方面使 势垒层对 面密度产生的两方面影响相互抵消 同时，这种 %72( ./()* %72( 6 ./* 插入层的采用降低了()* 与./()* 层之间的晶格失配，改善了./()*0 ()* 异质结界面特性，有利于减弱界面 粗糙度散射，提高 迁移率 利用这种插入层结构的 异质结材料研制了栅长为 的 器 %72( 6 ./()*0 ()* # - 12345 ! 件，其最大漏电流和最大跨导比常规12345 器件分别提高了+% 8 和%$ 8 6 关键词：高温 插入层， 异质结，二维电子气，应力 ./* ./()*0 ()* ： ， ， ,!-- %$2 9+$: 9;$: 本文采用金属有机物化学气相淀积技术 （ ）生长了带有 插入层的 外延层和 #H 引 言 3JKL7 ./* ()* ./()*0 ()* 异质结，与一般使用低温./* 插入层的