用于2!.5d封装技术的微凸点和硅通孔工艺!.pdfVIP

第2期 微 处 理 机 No.2 2期 . . 2017年4月 MICROPROCESSORS Apr. ，2017 用于2.5D封装技术的微凸点和硅通孔工艺 周 刚，曹中复 （中国电子科技集团公司第四十研究所，沈阳 110032） 摘 要：过去几十年里，微电子器件尺寸按照摩尔定律持续减小，已经进入到真正的纳米时代。 尽管集成电路的特征尺寸已经进入20nm之下，但是在特定领域，尤其是存储器、FPGA等对资源要 求极高的领域，仅仅依靠摩尔定律已经不能满足市场需求。市场永无止境地对在可控功耗范围内实 现更多的资源以及更高的代工厂良率提出迫切要求。针对一种新的2.5D封装技术，介绍了其中使用 的微凸点（microbump）和硅通孔(through-siliconvias，TSV）等两项关键工艺，并进行了分析。 关键词：硅通孔；堆叠硅互连；微凸点；凸点下金属化层；封装；电沉积 DOI：10.3969/j.issn.1002-2279.2017.02.004 中图分类号：TN911 文献标识码：A 文章编号：1002-2279-（2017）02-0015-04 Technics of MicrobumpandTSVfor 2.5D PackageTechnology Zhou Gang,CaoZhongfu (The47thResearchInstitute of ChinaElectronics TechnologyGroup Corporation,Shenyang110032,China) Abstract: Over the past decade, the micro-electronics devices size continuously scaled down according to Moors Law, and had already got into a real nano ages. Though the characteristic size of integrated circuits has already got under 20nm, but in such particular fields as memory, FPGA, etc., Moors Law cant meet the request of market which always makes an urgent request for more resource and higher foundary yield within the controllable power. Microbump and TSV as two key technologies appliedto anew2.5Dpackage technologyare discussedand analyzedinthispaper. Keywords:TSV;SSI;Microbump;UBM;Package;Electrodepositing 如FPGA厂商赛灵思2011年发布的堆叠硅片互联 1 引 言 (SSI)技术就是典型的2.5D封装技术。该技术将四个 3D封装作为目前国内外比较热门的研究领域， 不同的FPGA芯片在无源硅中介层上并排互联堆 有很多研究机构都在开展相关研究，而真正产业化 叠，构建了相当于容量达2000万门ASIC 的可编程 的应用并不多见，目前主要集中于存储器的生产。业 逻辑