化学机械研磨之晶圆载具的设计与分析.PDF

1.簡介 化學機械研磨（簡稱 CMP ）已成為半導體工業上一項日趨重要的 產業，這可以從其逐年增加的產值看出（表 1-1）。根據世界各大半 導體廠所提出的 roadmap（表1-2 ），在公元2000 年的時候，線寬將 小到 0.18 μm，而晶圓的直徑也增大為300 ㎜（雖然目前因經濟狀況 而有所延緩，但終究是未來的趨勢）。所以，如何在這大範圍面積上， 達成更均勻的全面平坦化，是次世代 CMP 機台必備的功能，也是我們 在下幾章所要研究的課題。 首先，我們先來看看 CMP 是如何達成全面平坦化，以及這之中的 一些重要參數 。圖（1-1）是CMP 的工作示意圖，平坦化的方式如下： 晶圓被獨立旋轉的晶圓載具固定，並且向下壓在覆有一層研磨液 （slurry）的研磨墊（pad）上，而研磨墊則緊貼在獨立旋轉的平台 （platen），經由化學侵蝕和機械移除的雙重作用下，達到晶圓平坦 化的目的。由於有化學和機械交互作用，所以影響 CMP 的參數十分複 雜，例如：平台和晶圓載具的轉速、晶圓載具加在晶圓上的壓力、研 磨液的大小及 pH值、研磨墊的材質以及溫度等等。要充分瞭解這些 參數對 CMP 的影響，才有辦法改善 CMP ，得到更高品質的晶圓。以下， 我們就來回顧一些對 CMP 所做的理論分析。 1 在 1927 年時，Preston【1】就探討了玻璃移除率和施加壓力（P ） 及轉速（V ）之間的關係，提出了研磨移除率正比於壓力及轉速的公 式，雖然不是針對 CMP 所做的研究，但由於同樣是氧化矽類的研磨行 為，所以也被廣泛用在 CMP 的研究中。Cook【2】探討了化學行為在 研磨中所扮演的角色。Runnels和 Eyman【3】在 1994 年提出研磨墊 和晶圓之間存在著一層由研磨液所組成的流體介面之可能性 ，並探討 轉速、晶圓彎曲度及研磨液黏滯度對這層介面的影響。這個理論的提 出也證明了 CMP 之所以不容易控制的原因。C.W. Liu、B.T Dai、W.T. Tseng和 C.F. Yeh【4】建立了不同於Runnels的 CMP 理論模式，此 研究將研磨粒視為嵌在晶圓和研磨墊之間，藉由嵌住的研磨粒的移 動，達到材料移除的效果。此外，並建立了一個不同於 Preston的移 除率公式，除了壓力和速度外，也包含了研磨液的楊氏係數、研磨墊 的硬度、晶圓的硬度和楊氏係數等，將 CMP 的影響參數做了更廣泛的 討論。W.T Tseng和 Y.L Wang【5】在 1997 年提出了移除率和壓力及 速度呈非線性正比的關係。康立杰與秦繼華【6】則考慮了研磨粒的 磨耗對移除率的影響。由以上的說明，可以看出在將 CMP 模式化時， 壓力及速度是最重要也是影響最大的兩個參數，在接下來的幾章裡， 我們將從這兩個重要的參數著手，分析其對晶圓移除率的影響。 在第二章我們將修正 Tseng’s model【5】，並建立一個新的CMP 2 理論模式。第三章則是考慮改變施加壓力的分佈曲線，以補償因晶圓 載具與平台的轉速差所造成的移除量不均勻度。接下來，在第四章 裡，我們將設計一個晶圓載具，試著解決因邊界效應（edge effect） 而導致晶圓外圈過研磨的情形【6】。第五章則對我們所做的工作作一 結論，並提出未來可以努力的方向。 2.CMP 移除率模型的修正 我們在第一章曾提到一些有關 CMP 移除率的理論模式，不過 Preston公式誤差過大，而 Tseng’s model的係數，即使在同一環境 下，也不為常數。因此，我們重新檢討了 CMP 移除率模型，推導出修 正的移除率公式，並和Tseng’s公式加以比較，驗證新公式的正確性。 2-1.理論模式與分析 我們認為的 CMP 移除率模型如圖（2-1）所示。晶圓和研磨墊之 間存在一層流體區與接觸區混合的作用層（mixed layer），所謂的流 體區即是包含研磨液與其未嵌入研磨墊內的研磨粒 ；而接觸區則是指 嵌入研磨墊表面的研磨粒，這些粒子是因直徑小於晶圓和研磨墊之間 的高度而受壓以致嵌進研磨墊裡，並和晶圓接觸。 3 接下來，我們將逐步推導修正的新公式，首先，由移除率正比於 所受到的正向應力與剪應力【3】： R.R K sn t