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君毅高级中学九十四学年度第二学期第三次抽考科大四技班资讯科二
君毅高級中學九十四學年度第二學期第三次抽考科大四技班資訊科二年級電子學試卷(一)
日期:95/04/10 範圍:第一、二章 命題老師:周世平 班級:______座號:____姓名:_________
選擇題 共50題 (共100分)
( )1. 目前市面上所售的個人電腦,其內部晶片主要以何種電子元件構成?(A)電晶體 (B)積體電路 (C)真空管 (D)二極體
( )2. 電子元件發展的三個時期,依序為(A)真空管、積體電路、電晶體 (B)積體電路、真空管、電晶體 (C)電晶體、真空管、積體電路 (D)真空管、電晶體、積體電路
( )3. 超大型積體電路(VLSI)每個晶片上的元件數目約為?(A)10~100個 (B)100~1000個 (C)1000~10000個 (D)10000個以上
( )4. 所謂第四代電子計算機,是以何種電子元件為主?(A)真空管 (B)電晶體 (C)積體電路 (D)超大型積體電路
( )5. 下列何者不是電子工業發展的4C之一?(A)電子元件(Components) (B)消費(Consume) (C)通訊(Communication) (D)控制(Control)
( )6. 有關外質〈Extrinsic〉半導體之敘述,下列何者錯誤?(A)將三價雜質元素摻入純半導體中,以形成P型半導體 (B)將五價雜質元素摻入純半導體中,以形成N型半導體 (C)P型半導體之少數載子為電洞 (D)外質半導體本身之電性仍屬電中性
( )7. 在N型半導體材料中,有較多的自由電子,因此其所帶之電性為(A)負電 (B)正電 (C)不一定 (D)電中性
( )8. 下列何種元素摻入純質半導體中,可將純質半導體的特性轉變為N型半導體﹖(A)鋁 (B)鎵 (C)砷 (D)硼
( )9. 下列敘述何者正確? (A)P型半導體帶正電 (B)N型半導體帶負電 (C)半導體的導電性在導體與絕緣體之間 (D)在PN二極體的接合面空乏區內有電子、電洞及正、負離子
( )10.下列那一項不作為二極體的材料(A)鍺 (B)雲母 (C)矽 (D)砷化鎵
( )11.雜質半導體的電流載子(Carrier)有(A)一種 (B)二種 (C)三種 (D)四種
( )12. 常用於摻雜在矽晶體裡的硼和磷分別為幾價元素?(A)硼3價、磷2價 (B)硼3價、磷5價 (C)硼5價、磷3價 (D)硼2價、磷3價
( )13.在本質半導體中,由於載子濃度不均勻而產生的電流,稱為(A)漏電流 (B)漂移電流 (C)擴散電流 (D)飽和電流
( )14.在矽(Si)晶體中,欲使電子由共價鍵釋放出來,至少需要多少能量?(A)0.45eV (B)0.72eV (C)1.1eV (D)1.8eV
( )15.電洞即為(A)帶正電荷之粒子 (B)帶負電荷之粒子 (C)電子脫離原子軌道所留下之空位 (D)中子移去後留下之空位
( )16. 下列敘述何者正確?(A)受體是五價元素 (B)施體雜質提供電洞 (C)N型半導體之主要載子為電洞 (D)電洞不存在於金屬中
( )17. 有一矽二極體,在25°C時的逆向飽和電流為 2nA,當溫度升高至65°C逆向飽和電流為(A)8nA (B)16nA (C)32nA (D)64nA
( )18.在純矽晶體中摻入施體雜質,則(A)電子數目減少 (B)電洞數目減少 (C)導電率變差 (D)此施體雜質是三價元素
( )19. 由矽半導體所作成的電阻,一般而言,其電阻值會隨溫度上升而如何變化?(A)減小 (B)增大 (C)先減小後增大 (D)先增大後減小
( )20.二極體PN接面的反向電阻,隨溫度增高而 (A)加大 (B)減小 (C)不變 (D)先增大再減小
( )21. P型半導體與N型半導體結合時,會在PN接合面上形成空乏區,則空乏區靠N型側內有下列何者? (A)電子 (B)電洞 (C)正離子 (D)負離子
( )22.金屬導體與高摻雜濃度之半導體,其電阻溫度係數隨溫度的升高而(A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)先增後減
( )23.二極體的空乏區,隨著逆偏電壓的增加而產生何種變化?(A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)先減後增
( )24.溫
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