石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成.pdfVIP

第 31卷第 2期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．31，No．2 2012年 4月 J．InfraredMillim．Waves April，2012 文章编号 ：1001—9014(2012)02—0118—05 石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成 周 鹏，魏红强，孙清清，叶 立，陈 琳，吴东平，丁士进，张 卫 (复旦大学 微电子研究院，集成电路与系统国家重点实验室，上海 200433) 摘要：从石墨烯发现与制备 出发，综述 了室温下双层石墨烯或石墨烯带禁带在0～250meV可调的特性，及其在中 远红外探测器的背栅、顶栅结构中作为栅氧形成材料的应用，并介绍了目前各种先进工艺． 关 键 词：石墨烯；红外探测器；高k栅氧集成 中图分类号：TN432 文献标识码 ：A High-kgateoxidesintegration ofgraphenebased infrared detector ZHOUPeng， WEIHong—Qiang， SUNQing—Qing， YELi， CHENLin， WU Dong—Ping， DINGShi—Jin， ZHANGWei (StateKeyLabofASICSystem ，SchoolofMicroelectronics，FudanUniversity，Shanghai 200433，China) Abstract：Thisreview givesanintroduction tothediscoveryandfabrication ofthegraphene，back—gatedandtop—gated GFETwiththepossibletunableband—gapof0—。250meV atroom temperatureformiddleandfarinfrraeddetectorapplica— tion，radiorfequencyGFETapplicationnadotheradvancedhighkgateoxidesintegrationprocesses． (人Q墨)_喜∞日磊∞ Keywords：rgaphene；inrfareddetector；high—kintegration PACS：73．22．Pr，74．25．Gz 引言 石墨烯基场效应晶体管由于石墨烯卓越的电子 迁移率特性、平面可集成等优点而得到广泛的关注， 是实现极低功耗、极高灵敏、超轻超稳定、无需低温 控制红外探测器的极具魅力之方法．但单层石墨烯 不具备禁带、双层石墨烯形成结构后迁移率的急剧 衰退、栅氧形成工艺缺乏等问题限制了其发展与应 用．集成 电路 中最基础 的器件是场效应 晶体管 (FieldEffectTransistor，FET)，而利用石墨烯实现晶 D／(Vnay) 体管特性面临的一个挑战是硅晶体具有 2．1eV带 图1 双层石墨烯可调禁带宽度对电场依赖关系 隙，这与石墨烯不同，石墨烯不存在带隙．石墨烯在 Fig．1 Theelectricfielddependenceofbilayerrgaphenetuna— 单层状态下具备金属特性 ，理论分析及实验测量显 blebandgap 示在双层化后 目前出现最大带隙约为 250meV，具 备半导体特性…．如果把双层石墨烯加工成细线 (纳 采用双层石墨烯利用外加电场可以在室温下控 米带)状，带隙还能进一步扩大．IBM 已发布了栅长 制其打开禁带，从0～250meV可调 。4。，如图1所示． 240nm、截止频率为230GHz的石墨烯 FET J． 显然，在不同偏置电压控制下可调禁带的GFET可以 收稿 日期：2011-02—24，修