2016第二届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会第二轮通知.PDF

中国半导体行业协会半导体分立器件分会 中半器协 [2016]007 号 第二届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会 第二轮通知 自2016 年7 月1 日中国半导体行业协会以“中半器协[2016]003 号”文发出 《第二 届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会》以来，来自全国各地的产、学、研等单位 大力支持，积极投稿，现会议的准备工作已经就绪，就会议细节和论文录用情况通知如下： 畅通、共享、共赢——全球化背景下的新型半导体器件及应用技术 一、会议特邀报告 1．后 IGBT时代的机遇与挑战 株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师 刘国友 教 授 2．GaN 基功率电子器件的研究进展与技术挑战 南京大学电子科学与工程学院 陆 海 教 授 3．IGBT技术发展的里程碑 英飞凌科技中国有限公司工业功率控制事业部高级经理 陈子颖 先 生 4．Shield-gate MOS 器件的技术进展及主流厂家技术对比 电子科技大学微电子与固体电子学院 李泽宏 教 授 5．氮化镓功率器件发展和应用面临的若干问题 专用集成电路重点实验室副主任 冯志红 研究员 6．碳化硅单晶衬底发展与展望 北京天科合达蓝光半导体有限公司常务副总经理兼技术总监 彭同华 研究员 7. 针对GW 级VSC-HVDC 应用的大功率器件及StakPak 模块的发展趋势及现状 瑞士ABB 公司半导体高级销售经理 陈马看 博 士 二、会议组织机构 指导单位：中国半导体行业协会 承办单位：中国半导体行业协会半导体分立器件分会 专用集成电路重点实验室 中国电子科技集团公司第十三研究所 协办单位：合肥锐拓科技信息服务有限公司 云南妙创会议服务有限公司 《半导体技术》编辑部 《微纳电子技术》编辑部 三、会议地点：昆明云安会都温泉大酒店 昆明市西山区石安公路马街路口。机场至云安会都距离约35 公里，打车需50 分钟。 也可选乘机场大巴可选乘 2 号线或919C 公交，至火车站下车，再乘坐车租车或51 路 公交前往。距离昆明站约10 公里，公交车51 路车到云安会都站下车即到。距昆明西站 约1.3 公里。 四、会议日程 1．此次《研讨会》共录用论文（或论文摘要）120 篇 （见附件），其中特邀报告7 篇，全部特邀报告和论文摘要（或论文）都已经收入《论文集》，并将在参会者到会注 册时发给每位参会者。希望每篇论文摘要（或论文）至少有一位作者参加会议。 由于研讨会时间有限，我们将根据具体情况选择安排在会上作报告的论文，并在会 前与作者沟通。 2．11 月25 日在昆明云安会都温泉大酒店报到，11 月26-27 日开会。会议议程安 排如下： 时 间 地 点 主 题 11 月26 日上午 开幕式；特邀报告 11 月26 日下午 云安会堂四楼 特邀报告；大会报告 11 月27 日上午 2 号会议室 大会报告 11 月27 日下午 大会报告 3．11 月28 日机动。 会议联系单位：中国半导体行业协会半导体分立器件分会秘书处 （石家庄市合作路113 号 中国电子科技集团公司第十三研究所） 联 系 人：陆 皓 手机 电子邮件：luhao4168@ 李 永 电话：031