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基于铁磁共振的微波带阻滤波器 1 - 易迪拓培训.PDF

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基于铁磁共振的微波带阻滤波器 1 - 易迪拓培训

基于铁磁共振的微波带阻滤波器 刘国磊董国胜金晓峰 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 摘要 本文报道利甩半导体工艺技术制成可调谐的微波带阻滤波器的原型器件,介绍工作原理和工艺 过程,并测量了微波传输特性。 一.引言 . 成功,这些新型磁性薄膜材料具有许多优异的特性,可能铡成新的集成磁电子学器件 协”。我们采用淀积在GaAs上的Fe膜,制作出实验室水平的微波带阻滤波器。 二.器件工作原理 微波带阻滤波器是利用Fe的铁磁共振原理。对于磁化矢量M在面内的磁性薄膜, 如果平面波沿着M入射,微波磁矢量h上M.。入射波使M与等效场H《有--d,角偏转, M将绕着IIcn作进动,运动方程是 dM/dt=吖M×Ⅱm 率,T是旋磁比,等效场Hc萨H。+H印p.H。是磁晶各向异性场。H叩p是外加场。当vo 附近的微波通过微带线时,与Fe层强烈耦合吸收,使该频率的微波很快衰减。而且铁 磁共振频率将随沿微带线所加的磁场大小而变化,即可以进行频率调谐。对于Fe膜, 如果在垂直微带线方向加足够大的外加磁场h,则h将使M偏离原来的方向,微 波场就不能与M耦合,从而使共振消除,这个磁场大约小于100e。这个特性也使微 波带阻滤波器具有开启功能。 三器件的结构和工艺过程 微波带阻滤波器是做在一块半绝缘的GaAs衬底上的Fe和灿的双层膜微带线,结 构如图l。器件的制作借鉴半导体工艺,先在清洁的半绝缘的GaAs衬底上生长一层约 o1 gtrn厚的Fe膜,然后在Fc膜上淀积一层0lgm的Aj,再用光刻、腐蚀做出一条Fc 膜条状线.最后在GaAs衬底的背面蒸镀一层l~2tunA1或Au,这样就完成了铁的微 ●1●,】●●1 带线。考虑到我们做的微带线比较细,多晶Fc膜的形状因子会使其朝微带线的长端方 向磁化,这样用离子溅射的多晶Fc膜也可以制作微波带阻滤波器。 I GaAs衬底 层 图1 Fe和Al的微带线结构图 微带线的端口通过一与之匹配的微带一同轴转换器与外接同轴线相连,测试时通过 转换器,微波从一个端口输入,而从另一端口输出到微波接收器。 在微带线中传播的是准TEM波,用准静态法近似求得微带线的阻抗Zc=zol心”,其 中 Z0l~60蜮6h/w+w/4h) ㈣(w/hZD Z01。120rd[w/h+2.42—044M州1一h/w)】∞)(w/h1) 铲1一白一1)11H1+10h/w)”。]/2 h、w、%、R分别是衬底厚度、微带线的宽度、有效介电常数和衬底的相对介电常 数。 t因此 带宽w=3751am。 四应用前景 微波带阻滤波器的共振频率可通过加平行磁场调谐,工作与否可通过垂直磁场控 制,并且它的结构和工艺简单,非常适合与其它微波器件做成集成电路。 参考文献: Prmzct G.A al,Appl.Phys.Lett.39,397(1981). 【11 Science 【2】.G.A.Prinz 250(1990),1092 140 Pays.63(1988),3 131.ErnstSehloemann::ta1.J.Appt 易迪拓培训 专注于微波、射频、天

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