晶圆的处理－微影成像与蚀刻.PDFVIP

晶圓的處理－ 微影成像與蝕刻 光蝕刻技術光蝕刻技術 微影成像 （（phhottolithlithographhy ））步驟步驟 塗敷光阻劑 溶解度會隨曝光程度改變 曝光 改變光阻劑溶解度 顯影 去除溶解度較高的光阻劑 蝕刻 移除未被光阻劑覆蓋的 晶圓外膜 剝除光阻劑 擴散等表面處理 光阻劑光阻劑 （（photoresistphotoresist ）） • 對顯影劑溶解度會隨曝光程度對顯影劑溶解度會隨曝光程度 改變 • 不會被蝕刻劑或蝕刻製程侵蝕 • 可用剝除劑劑移除 塗敷光阻劑塗敷光阻劑 StepperStepper （（步進攝影機步進攝影機）） 光罩，遮罩，罩遮 （（maskk ）） 塗敷顯影劑塗敷顯影劑 顯影顯影 正型 負型 對準符號對準符號 溼式蝕刻溼式蝕刻 常用蝕刻劑常用蝕刻劑 • 氧化膜氧化膜 （（SiO22 ））： – HF – HF + NH F 4 • 氮化膜氮化膜 （（SiSi NN ））：HH POPO 3 4 3 4 • 多晶矽：HF + HNO3 + CHCH COOHCOOH + II 33 22 乾式蝕刻乾式蝕刻 （（乾蝕乾蝕）） 平板乾蝕機平板乾蝕機 特徵尺寸的縮小化特徵尺寸的縮小化 成像光源光波成像光源光波 氟化氫氟化氫 （（HFHF ））危害危害 • 使用場合：蝕刻於氧化或磊晶過程 中於晶圓表面所生成的二氧化矽 • 使用方法： – 於逐漸升溫中使用於逐漸升溫中使用49%% 溶液溶液 – 與氟化銨（NH F ）混合為BOE 4 （Buffered Oxide Etch ） • 危害狀況危害狀況 ： – 在 1980 年代末之前經常發生燒傷 – 近年已不常發生，原因為 • 強化作業人員之認知 • 工作方式改善 • 化學處理廢氣方式之改善 • 乾蝕之採用 • 特性特性 – 在稀釋使用時視為弱酸 – 外觀不易與清水區分 – 被稀釋溶液燒傷後不立即感覺疼被稀釋溶液燒傷後不立即感覺疼 痛 – 燒傷程度隨接觸時間增加而增加 – 可穿透皮脂層直達皮膚深部與皮 下組織 – 氟離子侵蝕組織並與組織表面結氟離子侵蝕組織並與組織表面結 合 – 氟離子可對酵素與細胞膜造成傷 害害 – 必須待所有的氟離子反應後方能 使燒傷程度不再持續提升 • 輕度燒傷治療方式輕度燒傷治療方式 – 立即以清水沖洗 10-15 分鐘，稀 釋並消毒 – 以含以含22.5%5% calciumcalcium gluconategluconate 軟軟 膏塗抹並摩擦燒傷部位，使深入 內部 – 較嚴重的燒傷則使用注射方式較嚴重的燒傷則使用注射方式 • 燒傷防止措施： – 抗酸手套抗酸手套 ，並經使用前檢查並經使用前檢查 – 作業場所清理 – 加強訓練