磷化铟高电子迁移率场效电晶体.PDFVIP

2013 維基夥伴獎學金成果報告 磷化銦高電子遷移率場效電晶體 InP-HEMT 學生：鄭守博 指導老師：張翼、黃國威、陳坤明 老師 交通大學 電物系大四→電子所(固態組) (9821038) (0250147) Ⅰ簡介： 高電子遷移率場效電晶體 (High electron mobility transistor, HEMT)，其結構為 異質結構，亦可參考下面兩張圖範例： Fig. a GaN-HEMT Fig. b InP-HEMT 這種特殊結構擁有：較高的電子遷移率，意味更快的電子傳輸速度、較高的 操作電壓、電流密度、崩潰電場、截止電壓…等等；較低的雜訊干擾、能量損耗… 等等。主要應用在電流感測、通訊科技、高頻應用…等等。 本篇報告以磷化銦高電子遷移率場效電晶體(InGaAs/InAlAs/InP High Electron Mobility Transistors, InP-HEMT)為主，參考圖 b 其結構由下而上以磷化銦 為 substrate 基板，先沉積500 nm In0.52Al0.48As作為 buffer layer 緩衝層，15 nm In0.65Ga0.35As作為 channel layer通道層，3 nm In0.40Al0.60As或 In0.52Al0.48As作為 12 -2 spacer間隔層，以濃度 5*10 cm 矽作為 delta-dopping layer 摻雜層，11 nm In0.40Al0.60As或 In0.52Al0.48As Schottky barrier layer ，10-20 nm In0.53Ga0.47As 摻雜濃度 19 19 -3 1*10 -5*10 cm 矽作為 cap layer 。以分子束磊晶MBE 方式沉積，可參考圖c 其結構以STEM影像剖面圖。 Fig. c Cross sectional STEM image of gate region in a 130 nm InP-HEMT Ⅱ原理簡介： 參考圖d由於 InAlAs和 InGaAs 形成異質結構，因異質結構有不同的費米能 階 Fermi-levels 以及因材料產生的極化效應Polarization effect ，在兩種不同材料接 面處會產生二維電子氣的位能井 (2-dimensional electron gas, 2DEG) 。 Fig. d InP-HEMT 二維電子氣位能 井位置標記及電流方向 藉由在閘極給定不同的電壓可控制位能井的變化，參考圖 e及圖 f 。 Fig. e InP-HEMT能帶圖 Fig. f 2DEG位能井變化能帶圖 情況 a. 1. 費米能階高於 2DEG位能井 2. 電子經由位能井穿隧效應遷移 3. On-State 情況 b. 1.費米能階低於 2DEG位能井 2.電子不能遷移 3. Off-state Ⅲ材料參考分析結