雪崩光电二极管监测电路将电流限制到1mA.PDF

/ 雪崩光电二极管监测电路将电流限制到 1mA 供稿：美信 摘要：新型高速雪崩光电二极管(APD)检测器需要新型低限流辅助电路。本篇应用笔记采用 数控APD偏置电源IC - MAX1932设计改进的新型APD检测器偏置电路。该电路在标准MAX1932 应用电路的基础上改善了性能。 设计 APD 检测器的低偏置电流电路 图 1 所示为采用MAX1932如何设计高速APD检测器的低偏置电流电源IC。该电路通过电容(CA) 和电阻(RA)将超前相移注入反馈回路，使之具有比标准MAX1932 应用电路更优异的瞬态响 应。超前相移还有助于抵消由R1 和C3 输出滤波器所产生的相位滞后。限流故障消失后，二 极管DA和电阻RB使占空比进入软启动，有助于改善器件从限流故障中恢复的过程。电流检测 电阻R1 的前端放置一个泄漏电阻(RA)，以提高电流检测的精度。 电路还给出了外部电压控制(V )。若要采用MAX1932 的内部DAC和SPI™串行控制接口实现 CONTROL 内部控制，应将R6连接到DACOUT (U1 引脚 6)。 图 1. 增强型 MAX1932 偏置电路，具有较好的限流特性和瞬态响应。增加的 DA 和 RB 可改善 从限流状态中恢复的过程，增加的 CA 和 RA 则可改善瞬态响应。 表 1. 本应用笔记中MAX1932 电路的元件清单(3V至 5V 输入，5V 至 45V 输出) / DESIGNATION QTY DESCRIPTION C1 1 1.0µF, 6.3V X5R ceramic cap. (0603) TDK (C2012X7R2A473K) CA 1 150pF 100V COG ceramic cap. (0805) Panasonic (ECJ-2VC2A151J) C2 1 0.047µF, 100V X7R ceramic cap. (0805) TDK (C2012XR2A473K) C3 1 0.1µF, 100V X7R ceramic cap. (1206) TDK (C3216X7R2A104K) C5 1 0.1µF, 16V X7R ceramic cap. (0603) Taiyo Yuden (C1608X7R1C104K) (optional) C4 1 0.47µF, 16V X7R (0603) Panasonic (ECJ-1VB1E473K) D1 1 150mA, 100V Schottky diode (SOD123) Diodes Inc. BAT56W DA 1 30V Schottky diode Central Semi CMPSH-3 N1 1 30V, 0.065Ω n-channel (SOT-23) Fairchild (FDN337N) RB 1 100Ω, 1% resistor (0402) R1 1 1.82kΩ, 1% resistor (0605) RA 1 8.25kΩ, 1% resistor (0402) R6 1 24.9kΩ, 1% resistor (0402) R7 1 80.6kΩ, 5% resistor (0402) RC 1 40.2kΩ, 1% resistor (0805) R8 1 332kΩ, 1% resistor (0402) R5 1 866kΩ, 1% resistor (0805) R3, R9, R10 3 1.0MΩ, 5% resistor (0402) L1 1 100µH, 170mA inductor Sumida (CMD4D13-101MC) Digitally controlled, 0.5% accurate, safest APD bias supply Maxim U1 1