雪崩模式下的体结构GaAs 光导开关 - 太赫兹科学与电子信息学报.PDF

第 14 卷 第 3 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．14，No．3 2016 年 6 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Jun．，2016 文章编号：2095-4980(2016)03-0340-04 雪崩模式下的体结构 GaAs 光导开关 a a a a b 吴朝阳 ，范昭奇 ，陆 巍 ，杨周炳 ，罗剑波 ( 中国工程物理研究院 a.应用电子学研究所 高功率微波技术重点实验室； b. 电子工程研究所，四川 绵阳 621999) 摘 要 ：利用能量较低的脉冲激光二极管，在较高场强下触发 GaAs 光导开关，使其工作于雪 崩模式，从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs 光导开关采用垂直体结构设计，芯片厚度为 2 mm ，电极形状分别为圆环和圆面，触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同轴 Blumlein 脉冲形 成线完成。对基于 GaAs 光导开关的同轴 Blumlein 脉冲线进行了模拟仿真和实验，当充电电压超过 8 kV(40 kV/cm) 后，开关开始了雪崩工作模式。当充电电压约为 15 kV(75 kV/cm) 时，在 50 Ω负载上 获得了约 11 kV 的脉冲电压，实验波形与仿真波形一致。对开关抖动进行了测试，其测试结果显示 开关充电电压对抖动影响很大，随着开关偏压增加，开关抖动减小，开关获得了最小抖动约 700 ps 。 关键词 ：砷化镓；光导开关；雪崩；半导体二极管 中图分类号 ：TN365 ；TM836 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201603.0340 GaAs bulk PCSS under avalanche mode a a a a b WU Zhaoyang ，FAN Zhaoqi ，LU Wei ，YANG Zhoubing ，LUO Jianbo (a.Science and Technology on High Power Microwave Laboratory，Institute of Applied Electronics；b.Institute of Electronic Engine ering， China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China) Abstract： By using laser diode with low energy to trigger GaAs Photoconductive Semiconductor Switch (PCSS) at high bias voltage, which makes GaAs PCSS working under avalanche mode, fast pulse voltage is produced. GaAs PCSS is designed as vertical bulk structure with 2 mm thickness. The electrodes