非致冷微测辐射热探测器的最新研制状况.pdfVIP

文章编号：1672-8785(2008)07-0040-07 非致冷微测辐射热探测器的最新研制状况 摘 要：为了满足广泛的热成像应用的需要，人们正在研制非致冷型红外焦平面列阵。 消防、日常维修、生产过程的控制和温度记录只是热成像技术在X-业上的一小部分应 用，它们都将得益于非致冷型红外探测器。因此，人们已研究出一种像元间距为35#m 的非致冷型红外探测器X-艺，利用这种X-艺可以生产高性能的160x120元和384x288元 列阵。除此之外，为了满足生产流程控制和更为精确的炉温控制等X-业应用的要求，一 种像元间距为45#m的320x240元非致冷型宽带探测器也已研制成功。法国ULIS公司 的非晶硅X-艺技术很适合用来大量生产低成本的探测器。本文先简单介绍微测辐射热 计工艺技术的背景，然后对像元间距为35#m的探测器以及像元间距为45#m的320x240 元宽带红外焦平面列阵进行表征。 关键词：非致冷型红外焦平面列阵；中波红外；长波红外；微测辐射热计；非晶硅 1引言 波长的腔体，它使得探测器的光谱响应在10#m 附近的波长处达到最大值。然而，在3#m至5#m 现在已有适合各种应用的非致冷型红外探 范围内测得的响应率仍然较高。 测器。它们的简单工作条件与某些数字摄像机 中使用的数字CMOS有源像元传感器(APS)相 似。非致冷型红外探测器已在许多工业应用和 军事应用中显现出巨大的潜能。同致冷型量子 探测器相比，非致冷型探测器的主要优势之一便 是成本低。致冷型探测器是为高性能系统而设 计的，而非致冷型探测器则是为低成本系统而 设计的，且可大批量生产。 图1测辐射热计的像元结构 本文介绍非晶硅工艺的优点，并且对一种 320x240元的宽带非致冷型探测器和一种像元间 非晶硅除了能与硅工艺兼容之外，还有其 距为35#m的探测器进行表征，同时对后一种探 它许多优点。首先，它可以被制成很薄 (1000~) 测器的批量生产结果表示关注。最后，本文对下 的悬浮膜片，结合长度很短的立柱，就能产生具 一 代测辐射热计(像元间距为25#m的宽带非致 有高占空因数和高机械强度、能够承受高速率 冷型探测器)也作了简单的介绍。 振动和高强度冲击的结构。对于许多军事应用 2背景 和工业应用来说，降低对振动或冲击的敏感度 很重要。其次，很薄的绝热悬浮膜片加上低热质 测辐射热计是由集成在微桥上的温度计构 量的硅，能使像元的热时间常数很小(45#m间 成的。微桥由两根立柱支撑，立柱则通过金属 距的像元为4ms，35#m和25#m间距的像元为 螺栓固定在硅衬底上。这种微桥被制作在牺牲 7ms)。最后，这种简单的工艺能够提高探测器的 层上，牺牲层在最后阶段被去除。微桥是用只 产量并降低探测器的生产成本。 有0．1pm厚的掺杂非晶硅制作的，读出集成电路 3 320x240元非致冷型宽带红外焦平 (ROIC)与微桥之间的距离为2．5#m(见图1)。这 是一个真空的间隙，其作用犹如一个四分之一 面列阵 INFRARED(MONTHLY)／VOL．29，NO．7，JULY 2008 3．1初步介绍 + 热计响应率R的方法已把占空因