以溶胶-凝胶法制备la3ga5sio14薄膜与特性之研究 - 先进工程学刊.pdf

先進工程學刊第三卷 第一期 17 Journal of Advanced Engineering Vol. 3, No. 1, pp. 17-20 / January 2008 以溶膠-凝膠法製備La Ga SiO 薄膜與特性之研究 3 5 14 Preparation and Characterization of La Ga SiO 3 5 14 Films by Sol-Gel Deposition * 胡 毅 王逢偉 林和龍 * Yi Hu , Feng-Wei Wang, Hur-Lon Lin 摘要 本研究使用溶膠-凝膠法來製備La Ga SiO (LGS) 薄膜，並使用X 光繞 3 5 14 射、掃描式電子顯微鏡、X 光光電子光譜與光致發光光譜儀來檢測薄膜特性。 經旋鍍後的非晶質薄膜可以使用1200℃退火而結晶並具有LGS(110)優選取 向。在光致發光光譜儀中，使用 381nm為激發光源可使LGS 薄膜發出429nm 波長的光。此發光來源推測為Ga3+離子佔據晶格的八面體位置所導致，且此 發光現象會隨著退火時間的增加而有降低的趨勢。在本文中，將近一步討論 LGS 薄膜的發光機制與結晶結構關係。 關鍵詞 ：La Ga SiO ，薄膜，結晶化，溶膠凝膠旋鍍法，光致發光 3 5 14 Abstract A simple sol-gel deposition was employed to prepare La Ga SiO (LGS) 3 5 14 films which were characterized by X-ray diffraction, scanning electron micros- copy images, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and pho