双面光刻对准过程.pdf

1 引言 在微电子机械系统（MEMS）设计制造领域，双面镀膜光刻是针对硅及其它半导体 基片发展起来的加工技术。在基片两面制作光刻图样并且实现映射对准曝光，如 果图样不是轴向对称的，往往需要事先设计图样成镜像关系的两块掩模板，每块 掩模板用于基片一个表面的曝光，加工设备的高精度掩模-基片对准技术是其关 键技术。对于玻璃基片，设计对准标记（alignment key）并充分利用其透明属 性，可以方便对准操作，提高对准精度。 2 双面对准技术的实现原理 市场上可以提供双面对准技术（double-sided alignment）曝光设备的几家公 司主要有 Süss MicroTec，EV Group，OAI 和 Ultratech Inc.等，Karl Süss MA-150 双面对准专利技术的基本过程如图 1 所示。图中 1(a) 刻有十字丝对准标记的掩 模板固定在设备夹具上，下方一对数字显微镜拍摄十字标记图像，存贮并同时定 位在显示屏上，然后将已加工完一面的晶圆放置在承片台中，包含对准标记的图 样面朝下，装入掩模板的下方，并且调平；图 1(b) 显微镜调焦，拍摄晶圆的十 字图样标记实时图像，与掩模标记静态图像同时叠加在显示屏上；图 1(c) 转动 或在 X 和 Y 方向平移晶圆承片台调整晶圆位置，直到晶圆十字图样和已存储的掩 模板十字图样重合对准，右侧图显示了对准后的效果。接下来以接近或接触方式 进行晶圆上表面的曝光[1]。 但这里存在一个问题，存储的掩模十字标记的图像位置是以显微镜物镜为参照系 的图 1 (b) 中的调焦过程不可避免会导致物镜的抖动，而且两个目镜都需要重 新调焦，如果物镜侧移则必然会带来对准误差，如图 2 所示。因此 EVG 公司的 设备调整了对准工艺流程，极力避免物镜的重新调焦。其做法是把焦平面固定在 晶圆承片台的表面，首先安置掩模板，接触到承片台的表面，拍摄并存储对准标 记的数字图像，然后平稳地垂直提升掩模板，接下来在承片台上放置晶圆，晶圆 的已加工面朝下，由于标记仍然在承片台表面，不需重新调焦，因此避免了可能 导致的目镜侧移带来的对准误差 [2]，这也是 EVG 最新的 NanoAlign 对准技术的 主要保证措施之一。 3 光学玻璃基片双面光刻的对准流程 光学玻璃基片，表面光洁度不如晶圆，需要事先经过光学抛光的工艺处理。玻璃 基片的透光性是个可利用的属性，物镜可以直接透过基片看到掩模板的对准标 记。基于其透光性，我们设计了一个十字加方框的对准标记，如图 3 所示。和图 1 的对准标记相比，虽然都有十字形，但这里的十字仅仅是作为辅助对准，真正 起到精对准作用的是方框的四个边角。如果采用如图 1 所示的对准工艺流程， 则显微镜视场的对准情形如图 4 所示。 两块掩模板上的对准图样设计的大小相同，由图 4 可见，由于掩模板和基片的 图像都是等量放大显示，基片的十字由于物距短，遮盖了掩模板的十字，所以十 字只能作为辅助粗对准，但同样是物距不一的原因，基片的方框成像也比掩模板 的方框大，恰恰有利于根据边和角来比较对准。假如成像大小一致，根据边角的 重合与否进行对准判断反而不易。因此，十字加方框的对准标记，一方面简化对 准图样设计，两块掩模板采用同一个图样即可；另一方面，顺应成像大小的不一 致，恰恰有利于对准判断。 在玻璃基片的加工过程中，存储的掩模板十字标记数字图像可以在显微镜的十字 搜索阶段，起到辅助搜索作用，但仅此而已，在后续的微调精对准过程中，数字 显微镜可以不断变焦观察掩模板和基片的对准情形，不再以关联物镜参照系的数 字存储图像为基准，则调焦引起的物镜抖动对于对准精度不再发生作用。这就是 玻璃基片的透明属性带来的好处。 4 其它说明 对于透明基片的双面光刻加工，其准标记可以灵活设计，沿目镜的光轴上方的图 案区域如果是不透光的，该区域的对准标记可以简单设计成透光十字或透光方框 作为对准标记，如图 5 所示。如果目镜光轴上方掩模板图案区域是透光的，该区 域设计的对准标记可以设计成如图 6 所示的十字型或方框。不管是十字型还是 方框型，都是参照内部的边和角进行精确对准。 综合考虑到物距不一成像大小不同的因素，两块掩模板的对准标记也可以设计成 大小不一的，以掩模板和基片标记成像方便观测对准为原则。 另外，光刻机操作人员曾建议设计辅助搜索线，因为在高放大率的数字显微镜视 场中，搜索一个边长 200μm 的小对准标记，并不易发现。准备给方框加一条 “尾 巴”，一个长 12.4mm 宽 10μm 的平行于 X 轴的透光狭缝（或其它具有辨别特征 的形状，比如点划线），介于功能曲线之间，除了这条直线，本例中其